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DDR SDRAM
(Rev.1.44)
三月'02
三菱的LSI
M2S56D20 / 30 / 40ATP -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
M2S56D20 / 30 / 40AKT -75AL ， -75A ， -75L ， -75 ， -10L ， -10
256M双数据速率同步DRAM
阅读自动预充电（ BL = 8 ， CL = 2,2.5 ）
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
/ CLK
CLK
BL / 2 + tRP的
命令
法案
tRCD的
READA
BL/2
Y
1
00
激进党
A0-9,11
A10
BA0,1
的DQ
CL=2
DQ
的DQ
CL=2.5
DQ
Xa
Xa
00
QA0 QA1 QA2 QA3
QA4 QA5
QA6 QA7
QA0 QA1
QA2 QA3
Qa4
QA5 QA6 QA7
内部预充电开始计时
断言
命令
读
READA
WRITE(CL=2)
WRITE(CL=2.5)
WRITEA(CL=2)
对于不同的银行
3
4
5
6
7
8
9
10
法律法律法律
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非法非法非法非法违法
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非法非法非法非法非法违法
法律法律
非法非法非法非法违法
法律法律法律
WRITEA(CL=2.5)
非法非法非法非法非法违法
法律法律
法案
PCG
法律法律法律
法律法律法律
法律法律法律法律法律
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操作说明当新的命令是断言。
三菱电机
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