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KAB0xD100M - TxGP
UtRAM时序图
SEC只
MCP内存
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS
U
= OE = V
IL
， ZZ = WE = V
IH
， UB和/或LB = V
IL
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
以前的数据有效
t
AA
数据有效
读周期时序波形（ 2 ）
（ ZZ = WE = V
IH
)
t
RC1
地址
t
AA
t
RC2
CS
U
t
CO
t
HZ
t
BA
UB ， LB
t
BHZ
t
OE
OE
t
OLZ
t
BLZ
数据输出
高-Z
t
OH
t
OHZ
数据有效
t
LZ
（读周期）
1.
t
HZ
和
t
OHZ
被定义为时间，让输出达到开路条件和没有被引用到输出电压
的水平。
2.在任何给定的温度和电压条件下，
t
HZ
（最大）小于
t
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到设备
互联。
3.最小读周期（
t
RC
）被后来确定的所述一个
t
RC1
和
t
RC2.
4. t
OE
（最大）仅当遇到
OE
变得吨后，使
AA
（最大值）。
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修订1.11
2003年8月
