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KAB0xD100M - TxGP
SEC只
MCP内存
UtRAM使用与时序
设计实现特定的SRAM
操作
该UtRAM设计工作就像一个SRAM - 无
任何等待或其他开销预充电或刷新其
内部的DRAM单元。三星电子（ SAMSUNG ）皮
凭借先进的设计技术，里面的这些操作 -
那些不被从外部看到。预充电发生
在每次访问时，循环结束时的重叠
和下一个周期的解码部分。
隐藏刷新是比较困难的。在每块必须每一行
刷新间隔，以防止在被刷新的至少一次
数据丢失。极限提供了一个内部刷新控制器，用于
设备。当刷新间隔之内的所有访问都指向
一个宏小区，如在信号处理的应用发生
系统蒸发散，一个更复杂的方法是必需的，以隐藏
刷新。伪SRAM中有时被用来在这些应用程序
的阳离子，这需要能够容纳关闭存储器控制器
访问时，需要刷新操作。三星的
对这些部件的独特质量优势（除
在访问速度和功率变数量上的改进
消费）是， UtRAM永远不需要推迟访问，
而事实上它没有保持关闭信号。这给电路
三星这样的好处是相当简单的，但一直没有previ-
ously被公开。
技术
记
介绍
UtRAM是基于单晶体管的DRAM单元。与任何
其他的DRAM ，在这些细胞中的数据必须是周期性
刷新，以防止数据丢失。是什么让UtRAM独特
是，它提供了一个真正的SRAM风格的界面，隐藏了所有的更新
操作从存储器控制器。
开始与DRAM技术
UtRAM的关键点是它的高速度和低功耗。这
高速来自于使用的许多小块，如
32K位各创建UtRAM阵列。小块具有
这样短的字线的小电容消除了一大
工作电流消耗在传统DRAM的因素
块。
一个UtRAM设备上的每个独立的宏小区由一个
这些块的数目。每个芯片都有一个或多个宏。
地址译码逻辑也快。 UtRAM执行
在每tRC的完整的读操作，但UtRAM需要功率
顺序像DRAM 。
上电顺序和图
1.接通电源。
2.保持稳定的电源对于铅丹为200ps与CS
U
=高。
3.发出读操作的至少2倍。
CS
U
=V
IL
， UB和/或LB = V
IL
ZZ≥V
IH
活跃
避免时间
下图显示了您的正常时间是不
在UtRAM和解决方案的支持。
如果您的系统具有超过维持无效状态的时序
为4μs在类似图29的读模式中，有一些引导线
UtRAM的正确操作。
当你的系统中有多个地址无效信号短
比tRC的对图1中所示的定时， UtRAM需要一个去甲
发作读期间周期定时（TRC） （图30），或需要
CS切换
U
曾经以“高”关于“的tRC ” （图31） 。
CS
U
=V
IH
电源
初始状态
（等待为200ps ）
读操作（ 2次）
图29 。
超过4
s
CS
U
WE
比tRC的少
地址
图30 。
超过4
s
穿上读操作的每4微秒
CS
U
WE
TRC
地址
- 70 -
修订1.11
2003年8月
