KAB0xD100M - TxGP

文档标题

多芯片封装存储器

SEC只

MCP内存

64M位（ 8Mx8 / 4Mx16 ）双组NOR闪存/ 128M位（ 8Mx16 ） NAND闪存/ 32M位（ 2Mx16 ） UtRAM

修订历史

修订历史号

0.0

0.1

最初的草案

在NAND闪存插入无ECC条件

耐力（第1页）

： 1000编程/擦除周期的最大无ECC

程序流（ 39page ）

：编程后排除"Read Verify"一步在这种情况下

<Common>

修订吨

BIAS

(43page)

从"-25至85" ，以"-40至125"

修订后的V

IL

(43page)

从最大。 0.6V至最大。 0.5V

修订后的V

OH

(43page)

从分钟。 2.4V到最小。 2.3V

修订后的人工晶体（ 43page ）

从0.1毫安到最大。 2.1毫安

修订后的IOH （ 43page ）

从-0.1mA到最大。 -1.0mA

<NAND>

修订后的内部电压，禁用所有功能（ 37page ）

从2V至1.3V

修订后的上电和掉电恢复时间（ 37page ）

从分钟。为1μs到最小。为10μs

修订后的写周期（ TWC ） （ 59page ）

从为50ns到最小。为45nS

ALE结合到RE延迟ID读和读周期（ 59page ）

从分钟。为20ns和50ns的到最小。为10ns

修订后的稀土访问时间（t

REA

)(59page)

从最大。为35ns至最大。为30ns

排除分钟。稀土高价值输出高阻（T

REH

)(59page)

插入RE或CE

F

高到输出保持（T

OH

）与分钟。 15ns的（ 59page ）

修订后的时序图

敲定

修订后的<NOR>

- 从典型释放待机电流。 5UA （最大18uA ），以典型。

为10uA （最大为30uA ） 。

修订后的<NAND>

- 修正了一些错别字的时序图

草案日期

2002年3月20日

2002年3月28日

备注

初步

初步

0.2

2002年3月28日

初步

0.3

2002年6月17日

最终科幻

1.0

1.1

2002年10月15日

2003年6月18日

最终科幻

最终科幻

1.11

2003年8月14日

最终科幻

注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的网站。

http://samsungelectronics.com/semiconductors/products/products_index.html

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利

改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有

有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。

-1-

修订1.11

2003年8月