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KAB0xD100M - TxGP
NAND闪存块擦除操作
（ ERASE一个块）
SEC只
MCP内存
CLE
CE
F
t
WC
WE
t
WB
ALE
t
别尔斯
RE
DQ
x
60h
A
9
~ A
16
A
17
~ A
23
页（行）
地址
DOH
70h
DQ 0
≈
R / B
F
自动块擦除
SETUP命令
擦除命令
忙
阅读状态
命令
DQ
0
= 0成功擦除
DQ
0
= 1，擦除错误
NAND Flash制作&器件ID读操作
CLE
CE
F
WE
ALE
t
AR
RE
t
REA
DQ
x
90h
读取ID命令
00h
解决第一个周期
ECH
制造商代码
73h
器件代码
- 64 -
修订1.11
2003年8月
