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KAB0xD100M - TxGP
NAND闪存输入数据锁存周期
t
CLH
CLE
SEC只
MCP内存
t
CH
CE
F
t
ALS
ALE
t
WC
t
WP
WE
t
DS
DQ
x
t
WH
t
DH
t
WP
≈
t
DH
t
WP
t
DH
t
DS
t
DS
≈
嚣0
DIN 1
DIN
后读NAND闪存顺序输出循环
（ CLE = L ， WE = H ， ALE = L）
≈
CE
F
t
REA
RE
t
RC
t
RP
t
REH
t
CHZ *
≈
≈
t
REA
t
REA
t
OH
t
RHZ *
t
RHZ *
t
OH
DQ
x
t
RR
R / B
F
DOUT
≈
DOUT
DOUT
注意事项：
转换测量
±200mV
从稳态电压与负载。
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
≈
- 61 -
修订1.11
2003年8月
