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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
功能说明
最大DQSS
T1
CK
CK
命令
写
NOP
NOP
NOP
NOP
PRE
T2
T3
T4
T5
T6
t
WR
地址
BA A，列B
BA （一个或全部）
t
DQSS
（最大）
的DQ
DQ
DM
DI -B
t
RP
最低DQSS
T1
CK
CK
命令
写
NOP
NOP
NOP
NOP
PRE
T2
T3
T4
T5
T6
t
WR
地址
BA A，列B
BA （一个或全部）
t
DQSS
（分钟）
的DQ
DQ
DM
DI -B
t
RP
DI A-B =为银行， B列数据。
在数据3后续元素被应用在以下DI AB编程的顺序。
显示非中断的突发。
t
WR
从第一正CK边缘引用在一对最后的数据之后。
A10为低使用写命令（自动预充电禁用） 。
不在乎
图26
写入预充电：非人工（突发长度= 4 ）
数据表
51
修订版1.6 ， 2004-12
