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HYB25D256[16/40/80]0C[E/C/F/T](L)
256 Mbit的双数据速率SDRAM
功能说明
3.5.5
掉电
当CKE注册LOW掉电输入（无访问可在进步） 。如果发生断电
当所有银行都空闲，这种模式被称为预充电电源关闭;如果发生断电时，有一个
行活性的任何银行，这种模式被称为有源掉电。进入掉电停用输入
和输出缓冲器，不含CK，CK和CKE 。该DLL在掉电模式仍在运行，因此最大
积蓄力量，用户可以选择禁用之前进入掉电DLL的选项。在这种情况下，该DLL
必须退出掉电后启用，以前读命令可以是200个时钟周期必须发生
发行。在关断模式下， CKE低而稳定的时钟信号必须保持在的输入
DDR SDRAM ，和所有其他的输入信号是“不关心” 。然而，掉电持续时间由刷新不限
该装置的要求，所以在大多数应用中，自刷新方式下的优先级高于该DLL -禁用
掉电模式。
当CKE注册HIGH （连同NOP或取消关机状态同步退出
命令）。一个有效的，可执行的命令可能会被一个时钟周期的后期应用。
CK
CK
CKE
命令
t
IS
t
IS
有效
没有列
在接入
进度
NOP
NOP
出口
掉电
模式
有效
进入掉电模式
（突发读写操作
必须不进行中）
不在乎
图31
掉电
数据表
56
修订版1.6 ， 2004-12
