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恩智浦半导体
BUK969R3-100E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
240
I
D
(A)
180
003aah967
V
GS （ TH）
(V)
2.5
最大
2
典型值
3
003aah025
120
1.5
1
T
j
= 25 ° C
0.5
0
-60
民
60
T
j
= 175 °C
0
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
5
0
60
120
T
j
(° C)
180
图。 8 。
传输特性;漏电流作为
栅极 - 源极电压的函数;典型值
图。 9 。
栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
10
-1
I
D
(A)
10
-2
民
典型值
003aah026
20
R
DSON
(mΩ )
15
2.4
2.6
003aah970
2.8
10
-3
最大
10
3
4.5
V
GS
(V) = 10
10
-4
5
10
-5
10
-6
0
1
2
V
GS
(V)
3
0
0
35
70
105
I
D
(A)
140
图。 10.亚阈值漏电流的函数
栅源电压
T
j
= 25°C ;吨
p
= 300 μs
图。 11.漏源通态电阻为一个函数
漏电流;典型值
BUK969R3-100E
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2012年10月5日
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