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恩智浦半导体
BUK969R3-100E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
符号
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
参数
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输
电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水
电感
内源
电感
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
T
j
= 25 °C;
图。 15
民
-
-
-
-
典型值
34
8739
499
312
39.5
95.1
118
93.4
2.5
7.5
最大
-
单位
nC
11650 pF的
599
427
-
-
-
-
-
-
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
V
DS
= 80 V ;
L
= 3.2 Ω; V
GS
= 5 V;
R
G（ EXT ）
= 5 Ω
-
-
-
-
从排水管安装的上缘
基地以模具中心
从源铅源绑定
PAD
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25 °C;
图。 16
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT = -100 A / μs的; V
GS
= 0 V;
V
DS
= 25 V
003aah964
-
-
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
140
I
D
(A)
105
V
GS
(V) = 10
-
-
-
0.8
55.5
142
1.2
-
-
003aah965
V
ns
nC
4.5
3
20
R
DSON
(mΩ )
15
2.8
70
2.6
10
35
2.4
2.2
5
0
0
1
2
V
DS
(V)
3
0
0
2.5
5
7.5 V (V) 10
GS
T
j
= 25°C ;吨
p
= 300 μs
图。 6 。
输出特性;漏电流作为
漏极 - 源极电压的函数;典型值
图。 7 。
漏极 - 源极导通电阻为一个函数
的栅极 - 源极电压;典型值
BUK969R3-100E
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2012年10月5日
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