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恩智浦半导体
BUK969R3-100E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号说明
G
D
S
D
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
G
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
S
D2PAK （ SOT404 ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK969R3-100E
D2PAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3导致SOT404
（ 1铅裁剪）
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
BUK969R3-100E
类型编号
BUK969R3-100E
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
条件
T
j
= 25°C ;吨
j
≤ 175 °C
R
GS
= 20 kΩ
T
j
≤ 175 ℃; DC
T
j
≤ 175 ℃;脉冲
I
D
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 5 V;
图。 1
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 5 V;
图。 1
I
DM
P
合计
T
英镑
BUK969R3-100E
民
-
-
-10
[1][2]
最大
100
100
10
15
100
71
405
263
175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
2 / 13
-15
-
-
-
-
-55
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
T
mb
= 25°C ;脉冲;吨
p
≤ 10 s;
图。 4
T
mb
= 25 °C;
图。 2
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产品数据表
2012年10月5日
