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恩智浦半导体
BUK969R3-100E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
符号
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
参数
结温
条件
民
-55
最大
175
单位
°C
源极 - 漏极二极管
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C
脉冲;吨
p
≤ 10微秒;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 100 A; V
SUP
≤ 100 V ;
GS
= 50 Ω;
V
GS
= 5 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开;
图。 3
[1]
[2]
[3]
[4]
120
I
D
(A)
80
-
-
100
405
A
A
雪崩耐用性
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[3][4]
-
219
mJ
累计脉冲持续时间长达50小时提供零缺陷PPM
显著更长的寿命时间通过降低牛逼实现
j
和或V
GS
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
003aah960
120
P
DER
(%)
80
03aa16
40
40
0
0
50
100
150
T
mb
(° C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图。 1 。
连续漏极电流的一个函数
安装基座的温度
图。 2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
BUK969R3-100E
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2012年10月5日
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