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恩智浦半导体
BUK969R3-100E
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
10
3
I
AL
(A)
10
2
003aah961
10
(1)
(2)
1
(3)
10
-1
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
AL
（女士）
10
图。 3 。
雪崩额定值;雪崩电流的雪崩时间的函数
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
=10 s
100 s
10
003aah962
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图。 4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
6.热特性
表6 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
热阻
从结点到
环境
条件
图。五
民
-
典型值
-
最大
0.57
单位
K / W
R
号（j -a）的
最小的足迹;安装在一
印刷电路板
-
50
-
K / W
BUK969R3-100E
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2012年10月5日
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