恩智浦半导体
PBHV8118T
180 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
8.测试信息
V
BB
V
CC
R
B
示波器
V
I
R1
（探头）
450
Ω
R2
R
C
V
o
（探头）
450
Ω
DUT
示波器
mlb826
切换时间图11.测试电路
8.1质量信息
本产品已获得认证，符合汽车电子协会
（ AEC ）标准
Q101 - 压力测试资格的分立半导体，
并
适用于汽车应用。
9.封装外形
3.0
2.8
3
1.1
0.9
0.45
0.15
2.5 1.4
2.1 1.2
1
2
1.9
尺寸（mm）
0.48
0.38
0.15
0.09
04-11-04
图12.封装外形SOT23封装（ TO- 236AB ）
10.包装信息
表8 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
PBHV8118T
[1]
PBHV8118T
包
SOT23
描述
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
3000
-215
10000
-235
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第14节。
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产品数据表
牧师01 - 2010年5月7日
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