恩智浦半导体
PBHV8118T
180 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
400
180
6
1
2
400
300
150
+150
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
400
P
合计
（ mW）的
300
006aab150
200
100
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线
PBHV8118T
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产品数据表
牧师01 - 2010年5月7日
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