PBHV8118T
180 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
牧师01 - 2010年5月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN高电压低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）在一个小的晶体管
SOT23封装（ TO- 236AB ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
1.2特点和优点
高压
低集电极 - 发射极饱和电压V
CESAT
高集电极电流能力我
C
我
CM
高集电极电流增益（H
FE
）在高I
C
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
小型SMD塑料包装
1.3应用
LED驱动器的LED模块链
LCD背光
汽车电源管理
叉簧开关用于有线通信
开关模式电源（SMPS ）
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
[1]
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 10 V;
I
C
= 50毫安
[1]
条件
开基
民
-
-
100
典型值
-
-
250
最大
180
1
-
单位
V
A
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
