恩智浦半导体
PBHV8118T
180 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
条件
V
CB
= 144 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 144 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
民
-
-
-
-
[1]
典型值
-
-
-
-
最大
100
10
100
100
单位
nA
μA
nA
nA
I
CES
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极截止V
CE
= 144 V; V
BE
= 0 V
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
= 4 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 10 V
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 0.5 A
100
100
50
[1]
[1]
[1]
250
250
100
40
33
1
7
565
572
1320
740
2060
30
5.7
150
-
-
-
60
50
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mV
mV
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
兆赫
pF
pF
V
CESAT
V
BESAT
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
f
T
C
c
C
e
[1]
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 100毫安;我
B
= 10毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 20毫安
-
-
-
-
-
-
-
-
-
基极 - 发射极饱和我
C
= 0.5 A;我
B
= 100毫安
电压
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
V
CE
= 10 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CB
= 20V;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CC
= 6 V ;我
C
= 0.5 A;
I
BON
= 0.1 A;我
B关
=
0.1
A
-
-
-
脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
PBHV8118T
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产品数据表
牧师01 - 2010年5月7日
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