恩智浦半导体
PBHV8118T
180 V ，1 A NPN高电压低V
CESAT
（ BISS ）晶体管
1
V
CESAT
(V)
10
1
(1)
(2)
006aac370
10
V
CESAT
(V)
1
006aac371
10
1
(1)
(2)
10
2
(3)
(3)
10
2
10
3
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
3
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
4
I
C
（MA ）
I
C
/I
B
= 5
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
T
AMB
= 25
°C
(1) I
C
/I
B
= 20
(2) I
C
/I
B
= 10
(3) I
C
/I
B
= 5
图7 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
006aac372
图8 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
006aac373
10
3
R
CESAT
(Ω)
10
2
10
3
R
CESAT
(Ω)
10
2
10
10
(1)
(2)
1
(1)
(2)
(3)
1
(3)
10
1
10
1
1
10
10
2
10
3
10
4
10
1
10
1
1
10
10
2
I
C
（MA ）
10
3
10
4
I
C
（MA ）
I
C
/I
B
= 5
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
T
AMB
= 25
°C
(1) I
C
/I
B
= 20
(2) I
C
/I
B
= 10
(3) I
C
/I
B
= 5
图9 。
集电极 - 发射极饱和电阻为
集电极电流的函数;典型值
图10.集电极 - 发射极饱和电阻为
集电极电流的函数;典型值
PBHV8118T
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牧师01 - 2010年5月7日
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