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STM32F100xC ， STM32F100xD ， STM32F100xE
表19 。
外设电流消耗（续）
外设
一个GPIO
GPIO B
GPIO
GPIO
GPIO ê
GPIO F
GPIO摹
APB2
ADC1
(3)
SPI1
USART1
TIM1
TIM15
TIM16
TIM17
电气特性
典型功耗为25℃
(1)
0.26
0.26
0.26
0.26
0.26
0.24
0.25
单位
mA
1.28
0.2
0.37
0.63
0.43
0.34
0.34
1. f
HCLK
= f
APB1
= f
APB2
= 24 MHz时，每个外设的默认预分频值。
对于DAC 2.具体条件：在DAC_CR EN1位寄存器设置为1 。
对于ADC 3.具体条件：F
HCLK
= 24兆赫，女
APB1
= f
APB2
= f
HCLK
, f
ADCCLK
= f
APB2
/ 2， ADON在比特
ADC_CR2寄存器设置为1 。
5.3.6
外部时钟源的特性
从外部源的高速外部用户时钟产生
在给定的特性
表20
使用高速进行的测试结果
外部时钟源，而根据环境温度和电源电压的条件
在总结
表9 。
表20 。
符号
f
HSE_ext
V
HSEH
V
HSEL
t
W（ HSE ）
t
W（ HSE ）
t
R（ HSE ）
t
F（ HSE）的
C
在（HSE）
高速外部用户时钟特性
参数
用户外部时钟源
频率
(1)
OSC_IN输入引脚高电平
电压
(1)
OSC_IN输入引脚低电平
电压
(1)
OSC_IN高或低的时间
(1)
OSC_IN上升或下降时间
(1)
OSC_IN输入电容
(1)
5
条件
民
1
0.7V
DD
V
SS
5
ns
20
pF
典型值
8
最大
24
V
DD
V
0.3V
DD
单位
兆赫
文档ID 15081第七版
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