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STM32F100xC ， STM32F100xD ， STM32F100xE
注意：
电气特性
对于C
L1
和C
L2
建议在5 pF的使用高品质陶瓷电容
选择15 pF范围内，以匹配晶体或谐振器的要求。
L1
和C
L2,
是
通常为相同大小。晶体制造商通常指定一个负载电容，它
是C的串联组合
L1
和C
L2
.
负载电容C
L
具有以下通式：C
L
=
C
L1
x
C
L2
/ (C
L1
+
C
L2
) + C
杂散
哪里
C
杂散
是引脚电容和电路板或走线PCB相关的电容。通常情况下，它是
在2 pF和7 pF的。
以避免超过C的最大值
L1
和C
L2
（ 15 pF）的强烈推荐
要使用的谐振器与负载电容C
L
≤
7 pF的。切勿使用谐振器的负载
12.5 pF的电容。
例如：
如果您选择用C的负载电容的谐振器
L
= 6 pF的，和C
杂散
= 2 pF的，
那么C
L1
= C
L2
= 8 pF的。
LSE振荡器的特性（F
LSE
= 32.768千赫）
(1)
参数
反馈电阻
推荐负载电容
与等效串联
该晶体的电阻（R
S
)
(3)
LSE驱动电流
振荡器的跨导
T
A
= 50 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 10 °C
R
S
= 30 KΩ
V
DD
= 3.3 V
V
IN
= V
SS
5
1.5
2.5
4
6
s
10
17
32
60
条件
民
典型值
5
15
最大
单位
MΩ
pF
注意事项：
表23 。
符号
R
F
C
L1
C
L2(2)
I
2
g
m
1.4
A
μA / V
t
SU(LSE)(4)
启动时间
V
DD
is
稳定
T
A
= 0 °C
T
A
= -10 °C
T
A
= -20 °C
T
A
= -30 °C
T
A
= -40 °C
1.基于特征，而不是在生产测试。
2.请参考说明和提醒上表中的段落。
3.振荡器选择可以在电源电流方面采用了高品质的谐振器与小R上的优化
S
值
例如MSIV - TIN32.768千赫。请参考水晶制造商了解更多详细信息
4.
t
SU （ LSE ）
从它被使能（通过软件）的时刻所测量的启动时间，以稳定化的32.768kHz的振荡是
抵达。该值是衡量标准的晶体，它可以与水晶制造商显著变化
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