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电气特性
STM32F100xC ， STM32F100xD ， STM32F100xE
图14.典型应用有一个32.768 kHz晶振
谐振器
整合电容器
CL1
OSC32_IN
32.768的kH
谐振器
CL2
RF
OSC32_OU牛逼
BIAS
控制
收益
STM32F10xxx
FLSE
ai14129b
5.3.7
内部时钟源的特性
在给定的参数
表24
从室温下进行实验的衍生
温度和V
DD
电源电压条件总结在
表9 。
高速内部（ HSI ） RC振荡器
表24中。
符号
f
恒指
频率
T
A
= -40至105℃
(2)
加
恒指
HSI振荡器的精度
T
A
= -10 85 ℃下
(2)
T
A
= 0至70℃
(2)
T
A
= 25 °C
t
su(HSI)(3)
HSI振荡器启动时间
I
DD(HSI)(3)
HSI振荡器的功耗
1. V
DD
= 3.3 V ，T
A
= -40至105℃ ℃，除非另有规定。
2.基于特征，而不是在生产测试。
3.通过设计保证。在生产中测试
HSI振荡器的特性
(1)
参数
条件
民
典型值
8
-2.4
-2.2
-1.9
-1
1
80
2.5
1.3
1.3
1
2
100
最大
单位
兆赫
%
%
%
%
s
A
低速内部（ LSI ） RC振荡器
表25 。
符号
f
LSI
t
su(LSI)(2)
I
DD(LSI)(2)
频率
LSI振荡器启动时间
LSI振荡器的功耗
0.65
LSI振荡器特性
(1)
参数
民
30
典型值
40
最大
60
85
1.2
单位
千赫
s
A
1. V
DD
= 3 V ，T
A
= -40至105℃ ℃，除非另有规定。
2.通过设计保证，不在生产中测试。
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