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电气特性
表15 。
STM32F100xC ， STM32F100xD ， STM32F100xE
STM32F100xxB最大消耗电流在休眠模式下，代码
从Flash或RAM运行
最大
(1)
参数
条件
f
HCLK
T
A
= 85 °C
24兆赫
外部时钟全部
外设启用
(2)
符号
单位
T
A
= 105 °C
14.3
10.3
6.2
4.6
4.1
3.4
mA
12.7
8.5
6.6
2.5
2
1.7
14.1
9.7
5.9
4.2
3.7
2.9
12.5
8.2
6.4
2.3
1.7
1.4
16兆赫
8兆赫
24兆赫
所有
外部时钟
外设禁用
I
DD
电源电流
在睡眠模式
HSI时钟
(2)
，所有
外设启用
(2)
,
16兆赫
8兆赫
24兆赫
16兆赫
8兆赫
24兆赫
HSI时钟，所有的
外设禁用
(2)
16兆赫
8兆赫
1.基于特征，在V在产品测试
DD
最大值和f
HCLK
最高与外围设备启用。
2.外部时钟或HSI频率为8 MHz和PLL是当f
HCLK
> 8兆赫。
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文档ID 15081第七版
