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STM32F100xC ， STM32F100xD ， STM32F100xE
表18 。
电气特性
典型电流消耗在休眠模式下，代码从Flash或运行
内存
典型值
(1)
条件
f
HCLK
单位
符号参数
所有外设所有外设
启用
(2)
残
8.7
6.1
3.3
2.25
1.65
1.35
1.2
1.1
8
5.5
2.7
1.65
1.1
0.8
0.65
0.53
2.75
2.1
1.3
1.2
1.15
1.1
1.07
1.05
24兆赫
16兆赫
8兆赫
跑高速
与外部时钟
8 MHz晶振
(3)
4兆赫
2兆赫
1兆赫
500千赫
I
DD
供应
目前在
睡觉
模式
125千赫
24兆赫
16兆赫
8兆赫
跑高速
内部RC （ HSI ）
4兆赫
2兆赫
1兆赫
500千赫
125千赫
1.典型值是在T措施
A
= 25 ° C，V
DD
= 3.3 V.
mA
2.15
1.5
0.75
0.6
0.55
0.5
0.49
0.47
2.添加的0.8毫安额外的功耗为0.5 ADC和mA的DAC的模拟部分。在
应用程序，发生这种消费只在ADC上（ ADON位在ADC_CR2寄存器设置） 。
3.一个8 MHz的晶振作为外部时钟源。在AHB分频器用于降低频率
当f
HCLK
>的8 MHz ，使用了PLL当f
HCLK
> 8兆赫。
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