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Si5326
表3.微处理器控制
(V
DD
= 1.8 ±5％， 2.5 ±10％ ，或3.3伏±10％ ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
2
C总线线（ SDA ， SCL ）
输入电压低
输入电压高
输入电流
施密特迟滞
触发输入
VIL
I2C
VIH
I2C
II
I2C
VHYS
I2C
VIN = 0.1× V
DD
以0.9× V
DD
V
DD
= 1.8V
V
DD
= 2.5或3.3 V
输出电压低
VOL
I2C
V
DD
= 1.8 V
IO = 3毫安
V
DD
= 2.5或3.3 V
IO = 3毫安
—
0.7× V
DD
–10
0.1× V
DD
0.05× V
DD
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.25× V
DD
V
DD
10
—
—
0.2× V
DD
0.4
V
V
A
V
V
V
V
1.0版
9
