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Si5326
表2 DC特性（续）
(V
DD
= 1.8 ±5％， 2.5 ±10％ ，或3.3伏±10％ ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
迪FF erential输出
摇摆
单端输出
摇摆
迪FF erential输出
电压
共模输出
电压
迪FF erential输出
电压
符号
CKO
VD
CKO
VSE
CKO
VD
CKO
VCM
CKO
VD
测试条件
LVPECL 100
负载线 -
对线
LVPECL 100
负载线 -
对线
CML 100
负载线 -
LINE
CML 100
负载线 -
LINE
LVDS
100
负载线到线
低摆幅LVDS
100
负载线到线
民
1.1
0.5
350
—
500
350
1.125
—
—
0.8 x
V
DD
典型值
—
—
425
V
DD
-0.36
700
425
1.2
200
—
—
最大
1.9
0.93
500
—
900
500
1.275
—
0.4
—
单位
V
PP
V
PP
mV
PP
V
mV
PP
mV
PP
V
V
V
共模输出
电压
迪FF erential输出
阻力
输出电压低
输出电压高
CKO
VCM
CKO
RD
CKO
VOLLH
CKO
VOHLH
LVDS 100
load
线 -
LINE
CML ， LVPECL ， LVDS
CMOS
V
DD
= 1.71 V
CMOS
注意事项：
1.
电流消耗与电源电压无关
2.
任何不足或过冲是允许的。
3.
LVPECL输出要求标称V
DD
≥
2.5 V.
4.
这是泄漏的，该3级的输入可以从外部驱动容忍量。见Si53xx
系列参考手册了解详细信息。
5.
LVPECL ， CML ， LVDS ，低摆幅LVDS与佛= 622.08 MHz的测量。
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1.0版
