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Si5326
表2 DC特性（续）
(V
DD
= 1.8 ±5％， 2.5 ±10％ ，或3.3伏±10％ ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
三电平输入引脚
4
输入电压低
输入电压半山
输入电压高
输入低电平电流
输入电流MID
输入高电流
LVCMOS输出引脚
输出电压低
输出电压低
输出电压高
输出电压高
残疾人泄漏
当前
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
生病
V
IMM
V
IHH
I
生病
I
IMM
I
IHH
见注4
见注4
见注4
—
0.45 x
V
DD
0.85 x
V
DD
–20
–2
—
—
—
—
—
—
—
0.15 x垂直
DD
0.55× V
DD
—
—
+2
20
V
V
V
A
A
A
V
OL
IO = 2毫安
V
DD
= 1.71 V
IO = 2毫安
V
DD
= 2.97 V
—
—
V
DD
–
0.4
V
DD
–
0.4
–100
—
—
—
—
—
0.4
0.4
—
—
100
V
V
V
V
A
V
OH
IO = -2毫安
V
DD
= 1.71 V
IO = -2毫安
V
DD
= 2.97 V
I
OZ
RSTB = 0
注意事项：
1.
电流消耗与电源电压无关
2.
任何不足或过冲是允许的。
3.
LVPECL输出要求标称V
DD
≥
2.5 V.
4.
这是泄漏的，该3级的输入可以从外部驱动容忍量。见Si53xx
系列参考手册了解详细信息。
5.
LVPECL ， CML ， LVDS ，低摆幅LVDS与佛= 622.08 MHz的测量。
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1.0版
