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Si5326
表2 DC特性（续）
(V
DD
= 1.8 ±5％， 2.5 ±10％ ，或3.3伏±10％ ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
输出驱动电流
（ CMOS驾入
CKO
VOL
输出低
或者CKO
VOH
输出
高。 CKOUT +和
CKOUT-短路
外部）
符号
CKO
IO
测试条件
的iCMOS [1： 0] = 11
V
DD
= 1.8 V
的iCMOS [1：0 ] = 10
V
DD
= 1.8 V
的iCMOS [1： 0] = 01
V
DD
= 1.8 V
的iCMOS [1： 0] = 00
V
DD
= 1.8 V
的iCMOS [1： 0] = 11
V
DD
= 3.3 V
的iCMOS [1：0 ] = 10
V
DD
= 3.3 V
的iCMOS [1： 0] = 01
V
DD
= 3.3 V
的iCMOS [1： 0] = 00
V
DD
= 3.3 V
民
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
7.5
5.5
3.5
1.75
32
24
16
8
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2级LVCMOS输入引脚
输入电压低
V
IL
V
DD
= 1.71 V
V
DD
= 2.25 V
V
DD
= 2.97 V
输入电压高
V
IH
V
DD
= 1.89 V
V
DD
= 2.25 V
V
DD
= 3.63 V
注意事项：
1.
电流消耗与电源电压无关
2.
任何不足或过冲是允许的。
—
—
—
1.4
1.8
2.5
—
—
—
—
—
—
0.5
0.7
0.8
—
—
—
V
V
V
V
V
V
3.
LVPECL输出要求标称V
DD
≥
2.5 V.
4.
这是泄漏的，该3级的输入可以从外部驱动容忍量。见Si53xx
系列参考手册了解详细信息。
5.
LVPECL ， CML ， LVDS ，低摆幅LVDS与佛= 622.08 MHz的测量。
1.0版
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