Si5326
A
N Y
F
Q UE N c个
P
权证I S I O
C
1。· C k的
M
ü L T我P L I E
/ J
I T T E
A
TTENUATOR
特点
生成任意频率从2kHz
945 MHz和选择频率
从输入频率为1.4 GHz
2千赫至710兆赫
抖动超低抖动时钟输出
代低至0.3 ps的均方根
（ 50 kHz至80 MHz的）
具有可选的集成环路滤波器
环路带宽（ 60 Hz至8.4 kHz时）
满足OC- 192 GR- 253 -CORE抖动
特定网络阳离子
双时钟输入，手动或
自动控制无中断
开关（ LVPECL ， LVDS ， CML ，
CMOS ）
具有可选的双时钟输出
信号格式
支持ITU G.709和自定义
FEC比率（二百三十八分之二百五十五， 237分之255 ，
255/236)
LOL ， LOS ， FOS报警输出
数字控制输出相位
调整
I
2
C或SPI可编程
片上电压调节器
1.8 ±5％， 2.5 ±10％ ，或3.3伏± 10％的
手术
小尺寸： 6 ×6mm的36引脚QFN
无铅，符合RoHS标准
订货信息：
请参阅第65页。
引脚分配
CKOUT1–
CKOUT2+
CMODE
CKOUT2–
SONET / SDH OC- 48 / OC -192 / STM-
16 / STM-64的线卡
ITU G.709和自定义FEC线
牌
千兆/万兆以太网， 1/2/ 4/8 / 10G光纤
通道线卡
千兆/万兆以太网同步
光模块
无线基站
数据转换器时钟
xDSL的
PDH时钟合成
测试与测量
广播视频
GND
36 35 34 33 32 31 30 29 28
RST
NC
INT_C1B
C2B
VDD
XA
XB
GND
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16 17 18
NC
CKIN1+
RATE0
RATE1
CKIN2+
CKIN1–
CKIN2–
VDD
大声笑
27 SDI
26 A2_SS
25 A1
CKOUT1+
24 A0
23 SDA_SDO
22 SCL
21 CS_CA
20 INC。
12月19日
应用
VDD
NC
GND
PAD
描述
该Si5326是应用的抖动衰减精密时钟乘法器
需要分1 ps的抖动性能。该Si5326接收两个输入时钟范围
从2kHz至710兆赫，并产生两个输出时钟从2 kHz至
945 MHz和选择频率为1.4 GHz 。两个输出分频
分别从公共源。该Si5326也可以使用其晶体振荡器
作为一个时钟源的频率合成。该器件可提供几乎任何
跨越这个工作范围频率转换组合。该Si5326输入
时钟频率和时钟倍频比例是可编程通过I
2
C或
SPI接口。该Si5326基于Silicon Laboratories的第三代
DSPLL
技术，该技术在一个规定的频率合成和抖动衰减
高度集成的PLL的解决方案，消除了对外部VCXO和
环路滤波器组件。该DSPLL环路带宽是数字可编程，
提供抖动性能优化在应用程序级别。从操作
单1.8 ， 2.5或3.3 V电源供电， Si5326非常适合用于提供时钟
乘法和抖动衰减高性能定时应用。
1.0版9/10
版权所有 2010 Silicon Laboratories公司
NC
Si5326
Si5326
T
ABLE
OF
C
ONTENTS
1.电气规格。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.4
2.典型相位噪声性能。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
3.典型应用电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.17
4.功能描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
4.1 。外部参考。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
4.2 。进一步的文档。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
5.寄存器映射。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20
6.寄存器描述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.22
7.引脚说明： Si5326 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.58
8.订购指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 65
9.包装外形： 36引脚QFN封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 66
10.推荐的PCB布局。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
11. Si5326器件顶部标记。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 69
文档更改列表。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.70
联系信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.72
1.0版
3
Si5326
1.电气连接特定的阳离子
表1.推荐工作条件
参数
环境温度
在电源电压
正常工作
符号
T
A
V
DD
3.3 V额定
2.5 V额定
1.8 V额定
测试条件
民
-40
2.97
2.25
1.71
典型值
25
3.3
2.5
1.8
最大
85
3.63
2.75
1.89
单位
C
V
V
V
注意：
所有的最小值和最大值的保证，并应用在整个推荐的工作条件。
典型值适用于额定电源电压和25 ° C的工作温度，除非另有说明。
信号+
差分I / O的V ，V
OCM
ICM
SIGNAL ？
V
V
ISE
, V
OSE
单端
峰 - 峰电压
（信号+） - （信号 - ）
V
ICM
, V
OCM
V
ID
,V
OD
t
差分峰 - 峰值电压
信号+
SIGNAL ？
V
ID
= （信号+ ） - （信号 - ）
图1.差分电压特性
80%
CKIN ， CKOUT
20%
t
F
t
R
图2.上升/下降时间特性
4
1.0版
Si5326
表2.直流特性
(V
DD
= 1.8 ±5％， 2.5 ±10％ ，或3.3伏±10％ ，T
A
= -40 85 ℃）下
参数
电源电流
1
符号
I
DD
测试条件
LVPECL格式
622.08 MHz的输出
无论CKOUTs启用
LVPECL格式
622.08 MHz的输出
1 CKOUT启用
CMOS格式
19.44 MHz的输出
无论CKOUTs启用
CMOS格式
19.44 MHz的输出
1 CKOUT启用
禁止模式
民
—
典型值
251
最大
279
单位
mA
—
217
243
mA
—
204
234
mA
—
194
220
mA
—
165
—
mA
CKINn输入引脚
2
输入共模
电压（输入阈值
老电压）
V
ICM
1.8 V ± 5%
2.5 V ± 10%
3.3 V ± 10%
输入阻抗
单端输入
电压摆幅
（见绝对规格）
CKN
凛
V
ISE
单端
f
CKIN
< 212.5兆赫
参见图1 。
f
CKIN
> 212.5兆赫
参见图1 。
V
ID
f
CKIN
< 212.5兆赫
参见图1 。
fCKIN > 212.5兆赫
参见图1 。
0.9
1
1.1
20
0.2
0.25
0.2
0.25
—
—
—
40
—
—
—
—
1.4
1.7
1.95
60
—
—
—
—
V
V
V
k
V
PP
V
PP
V
PP
V
PP
差分输入
电压摆幅
（见绝对规格）
输出时钟（ CKOUTn ）
3
共模
CKO
VCM
LVPECL 100
负载线 -
对线
V
DD
–
1.42
—
V
DD
–1.25
V
注意事项：
1.
电流消耗与电源电压无关
2.
任何不足或过冲是允许的。
3.
LVPECL输出要求标称V
DD
≥
2.5 V.
4.
这是泄漏的，该3级的输入可以从外部驱动容忍量。见Si53xx
系列参考手册了解详细信息。
5.
LVPECL ， CML ， LVDS ，低摆幅LVDS与佛= 622.08 MHz的测量。
1.0版
5
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