NLAS3899B
双路DPDT低R
ON
低
电容开关
该NLAS3899B是一款双DPDT模拟开关，专为低
音频功率和双SIM卡应用。在低R
ON
3.0
W
（典型值）是理想的路由音频信号或从适度高
阻抗负载。此外，在低C
ON
20 pF的（典型值）给出了
NLAS3899B高带宽280 MHz的，完美的双SIM卡
应用程序。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
16
1
1
QFN16
CASE 485AE
典型应用
手机扬声器/麦克风开关
铃声 - 芯片/功放开关
双SIM卡数据交换
四个不平衡（单端）开关
重要信息
XX
A
M
L
Y
W
G
=具体设备守则
=大会地点
=日期代码/装配位置
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
ESD保护：
（注：微球可在任一位置）
COMA NOA Vcc的慢性非传染性疾病
16
15
14
13
人体模型（ HBM ） 1000 V
所有引脚
人体模型（ HBM ）
5000 V
I / O至GND
连续额定电流流经各开关
±300
mA
符合：符合JEDEC MO- 220 ，发行H，变化VEED - 6
包装：
1.8× 2.6× 0.75毫米WQFN16无铅
3.0× 3.0× 0.9毫米QFN16无铅
NCA
A- B IN
NOB
梳子
1
2
3
4
5
6
7
NCB GND NOCCOMC
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第8页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
2008年7月
第0版
1
出版订单号：
NLAS3899B/D
12
11
10
9
8
1.65 4.3 V V
CC
从锂离子电池直接发挥作用
低导通电阻（ 3.0
W
典型的跨V
CC
)
低C
ON
（ 20 pF的典型）
带宽280 MHz的
最大击穿电压： 5.5 V
低静态功耗
接口与1.8 V芯片组
这些无铅器件
1
WQFN16
CASE 488AP
1
16
单电源供电
AAMG
G
NLAS
3899
ALYW
COMD
点头
C- D IN
NCC
NLAS3899B
COM
NC
NO
IN
图1.输入等效电路
引脚说明
QFN封装引脚＃
1, 3, 5, 7, 9, 11, 13, 15
2, 10
4, 8, 12, 16
6
14
符号
NO A- D， NC A-D
A- B IN ， C- D IN
COM A-D
GND
V
CC
独立通道
控制
公共信道
接地（ V）
正电源电压
名称和功能
真值表
IN
H
L
*高阻抗。
NO
ON
关*
NC
关*
ON
工作条件
最大额定值
符号
V
CC
V
IS
V
IN
I
IS_CON
I
IS_PK
I
IN
T
英镑
引脚
V
CC
氮氧化物， NCX ，或
COMX
A- B IN ， C- D IN
氮氧化物， NCX ，或
COMX
氮氧化物， NCX ，或
COMX
A- B IN ， C- D IN
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
控制输入电压
模拟信号连续电流
模拟信号峰值电流
控制输入电流
存储温度范围
价值
0.5
至+5.5
0.5
到V
CC
+ 0.5
0.5
5.5
±300
±500
±20
65
150
闭合开关
10 ％占空比
条件
单位
V
V
V
mA
mA
mA
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
http://onsemi.com
2
NLAS3899B
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IS
V
IN
T
A
t
r
, t
f
引脚
V
CC
氮氧化物， NCX ，或
COMX
A- B IN ， C- D IN
参数
正直流电源电压
模拟信号电压
控制输入电压
工作温度范围
输入信号上升和下降时间
价值
1.65 4.3
GND到V
CC
GND为4.3
40
+85
20
10
V
CC
= 1.6 V
2.7 V
V
CC
= 3.0 V
4.5 V
条件
单位
V
V
V
°C
NS / V
最大值和最小值，通过跨越测试或设计保证
推荐的工作条件，
哪里
适用的。典型值列于仅引导和基于列出的每个部分中，其中所述特定条件
适用的。这些条件下是有效的，在特性表中，除非在试验条件另有规定发现的所有值。
ESD保护
引脚
所有引脚
I / O至GND
描述
人体模型
人体模型
最低电压
1千伏
5千伏
http://onsemi.com
3
