NTD4815NH
功率MOSFET
30 V ， 35 A单N沟道， DPAK / IPAK
特点
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
低R
G
这些无铅器件
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V
（ BR ） DSS
30 V
27.7毫瓦@ 4.5 V
D
R
DS （ ON）
最大
15毫瓦@ 10 V
35 A
I
D
最大
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
高侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注2 ）
功耗
R
qJA
（注2 ）
连续漏极
当前
QJC
（注1 ）
功耗
R
QJC
（注1 ）
脉冲漏
当前
t
p
=10ms
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
,
T
英镑
I
S
dv / dt的
EAS
P
D
I
D
P
D
ID
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
8.5
6.5
1.92
6.9
5.3
1.26
35
27
32.6
87
35
-55
+175
27
6
35.6
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
4
漏
YWW
48
15NHG
W
A
W
1 2
A
3
DPAK
CASE 369C
（本特铅）
方式2
单位
V
V
A
G
S
N沟道MOSFET
4
4
4
1
2 3
1
3
3 IPAK
IPAK
CASE 369AC
CASE 369D
（直引线） （直引线
DPAK ）
2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
48
15NHG
4
漏
YWW
48
15NHG
通过封装电流限制
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V,
I
L
= 15.4 A
pk
， L = 0.3 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
2
1 2 3
1 3漏
门漏源
门源
1 2 3
门漏源
Y
=年
WW
=工作周
4815NH =器件代码
G
= Pb-Free包装
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年12月 - 修订版0
出版订单号：
NTD4815NH/D
NTD4815NH
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
开关特性
（注4 ）
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
漏源二极管特性
正向二极管电压
V
SD
V
GS
= 0 V,
I
S
= 30 A
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.98
0.92
18.1
V
GS
= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，
I
S
= 30 A
11.3
6.8
8.2
nC
ns
1.2
V
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS
= 11.5 V, V
DS
= 15 V,
I
D
= 15 A，R
G
= 3.0
W
14.7
17.8
1.8
6.7
17.6
18.4
2.3
ns
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
反向恢复时间
充电时间
放电时间
反向恢复电荷
封装寄生效应值
源极电感
排水电感， DPAK
排水电感， IPAK
门电感
栅极电阻
t
RR
t
a
t
b
Q
RR
L
S
L
D
L
D
L
G
R
G
T
A
= 25°C
2.49
0.0164
1.88
3.46
0.6
nH
W
3.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
4.开关的特点是独立的工作结点温度。
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3
