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NJM2670
双H桥驱动器
s
概述
该NJM2670是一个通用60V双H桥
驱动IC 。它由一对H桥，一个热关的
降压电路和报警输出。报警输出可
检测应用程序的问题，系统的可靠性将是
如果微处理器监视显著改善。
因此，它适合于两相步进电机
应用程序通过微处理器驱动。
s
包装外形
NJM2670D2
NJM2670E3
s
特点
宽电压范围
电流控制范围广
热过载保护
包装外形
（ 4V至60V ）
（5至1500毫安）
（ DIP - 22 ， EMP- 24 ）
s
引脚连接
感
INA1
允许A
OUTA1
GND
GND
INB1
允许B
NC
OUTB2
感B
DIP-22
VS一
VCC
INA2
OUTA2
GND
GND
INB2
TSD ARM
NC
OUTB2
VS B
感
INA1
允许A
NC
OUTA
GND
GND
INB1
允许B
NC
OUTB2
感B
EMP-24
VS一
VCC
INA2
NC
OUTA2
GND
GND
INB2
TSD ARM
NC
OUTB2
VS B
-1-
NJM2670
s
框图
VS一
INA1
INA2
OUTA1
OUTA2
感
允许A
V
CC
VS B
INB1
INB2
OUTB1
OUTB2
热
关闭
TSD_ARM
感B
允许B
GND
-2-
NJM2670
s
绝对最大额定值（Ta = 25℃ ）
参数
符号
最大电源电压
V
MM
逻辑电源电压
V
CC
输入电压范围
V
IN
输出电流
I
OUT
P
D25
功耗@ T（ GND ） = 25°C
P
D125
功耗@ T（ GND ） = 125°C
工作结温
TOPR
储存温度
TSTG
评级
60
7
-0.3 7
1.5
5
2
-40
85
-55
150
单位
V
V
V
A
W
W
°C
°C
s
RECOMENNDO工作条件
参数
符号
电源电压
逻辑电压范围
最大输出电流
总功耗
V
MM
V
CC
I
OUT
P
D
P
D
测试条件
分钟。
4
4.75
-
-
-
典型值。
-
5.00
-
-
-
马克斯。
55
5.25
1.3
5
2.2
单位
V
V
A
W
W
T
GND
=25°C
T
GND
=125°C
s
热特性
参数
符号
热阻
RTH
J- GND
RTH
J- á
RTH
J- GND
RTH
J- á
测试条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
-
-
-
-
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
DIP22封装。
DIP22封装。记
EMP24包。
EMP24包。记
11
40
13
42
注：所有接地引脚焊接在20厘米
2
与自由的空气对流，T PCB的覆铜面积
A
=+25°C
-3-
NJM2670
s
电气特性
参数
符号
一般
ICC
静态电流
热关断
断态泄漏电流
热报警输出饱和
死区时间保护
逻辑
输入低电压
输入高电压
输入高电流
输入低电平电流
产量
上晶体管的饱和
TTSD
Itsd-
泄漏
Vtsd
Td
Vi
L
Vi
H
Ii
H
Ii
L
V
OU1
V
OU2
V
OL1
V
OL2
V
fU1
V
fU2
V
fL1
V
fL2
LO-
泄漏
TRR
U
TRR
L
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
-
-
50
0.7
-
单位
Enable=H,IN1=IN3=L,IN
2=IN4=H
TSD ARM = 5V
Io=5mA
40
170
-
0.5
1
-
-
-
-
mA
°C
A
V
s
V
V
A
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
ns
ns
Vi=2.4V
Vi=0.4V
Io=1000mA
Io=1300mA
Io=1000mA
Io=1300mA
Io=1000mA
Io=1300mA
Io=1000mA
Io=1300mA
V
MM
=50V
2
-
-0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
20
-
1.5
1.8
0.8
1.3
1.6
1.9
1.6
1.9
低饱和晶体管
上二极管的正向
较低的二极管正向
输出漏电流
上二极管recoverly时间
较低的二极管recoverly时间
1.3
1.5
0.5
0.8
1.3
1.6
1.3
1.6
-
250
250
1
-
-
-4-
NJM2670
s
典型用途
1） 。双极步进电机
VS一
INA1
INA2
OUTA1
汽车
OUTA2
感
V
MM
(4
55V)
中央处理器
or
微处理器
允许A
V
CC
VS B
INB1
INB2
OUTB1
OUTB2
感B
GND
允许B
V
CC
TSD
TSD ARM
(V
MM
GND ）
2）。单相直流电机
V
MM
(4
55V)
VS一
INA1
INA2
OUTA1
汽车
OUTA2
感
允许A
中央处理器
or
微处理器
V
CC
VS B
INB1
INB2
V
CC
TSD
TSD ARM
OUTB1
汽车
OUTB2
感B
GND
允许B
(V
MM
GND ）
-5-
NJM2670
双H桥驱动器
s
概述
该NJM2670是一个通用60V双H桥
驱动IC 。它由一对H桥，一个热关的
降压电路和报警输出。报警输出可
检测应用程序的问题，系统的可靠性将是
如果微处理器监视显著改善。
因此，它适合于两相步进电机
应用程序通过微处理器驱动。
s
包装外形
NJM2670D2
NJM2670E3
s
特点
宽电压范围
电流控制范围广
热过载保护
包装外形
（ 4V至60V ）
（5至1500毫安）
（ DIP - 22 ， EMP- 24 ）
s
引脚连接
感
INA1
允许A
OUTA1
GND
GND
INB1
允许B
NC
OUTB2
感B
DIP-22
VS一
VCC
INA2
OUTA2
GND
GND
INB2
TSD ARM
NC
OUTB2
VS B
感
INA1
允许A
NC
OUTA
GND
GND
INB1
允许B
NC
OUTB2
感B
EMP-24
VS一
VCC
INA2
NC
OUTA2
GND
GND
INB2
TSD ARM
NC
OUTB2
VS B
-1-
NJM2670
s
框图
VS一
INA1
INA2
OUTA1
OUTA2
感
允许A
V
CC
VS B
INB1
INB2
OUTB1
OUTB2
热
关闭
TSD_ARM
感B
允许B
GND
-2-
NJM2670
s
绝对最大额定值（Ta = 25℃ ）
参数
符号
最大电源电压
V
MM
逻辑电源电压
V
CC
输入电压范围
V
IN
输出电流
I
OUT
P
D25
功耗@ T（ GND ） = 25°C
P
D125
功耗@ T（ GND ） = 125°C
工作结温
TOPR
储存温度
TSTG
评级
60
7
-0.3 7
1.5
5
2
-40
85
-55
150
单位
V
V
V
A
W
W
°C
°C
s
RECOMENNDO工作条件
参数
符号
电源电压
逻辑电压范围
最大输出电流
总功耗
V
MM
V
CC
I
OUT
P
D
P
D
测试条件
分钟。
4
4.75
-
-
-
典型值。
-
5.00
-
-
-
马克斯。
55
5.25
1.3
5
2.2
单位
V
V
A
W
W
T
GND
=25°C
T
GND
=125°C
s
热特性
参数
符号
热阻
RTH
J- GND
RTH
J- á
RTH
J- GND
RTH
J- á
测试条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
-
-
-
-
单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
DIP22封装。
DIP22封装。记
EMP24包。
EMP24包。记
11
40
13
42
注：所有接地引脚焊接在20厘米
2
与自由的空气对流，T PCB的覆铜面积
A
=+25°C
-3-
NJM2670
s
电气特性
参数
符号
一般
ICC
静态电流
热关断
断态泄漏电流
热报警输出饱和
死区时间保护
逻辑
输入低电压
输入高电压
输入高电流
输入低电平电流
产量
上晶体管的饱和
TTSD
Itsd-
泄漏
Vtsd
Td
Vi
L
Vi
H
Ii
H
Ii
L
V
OU1
V
OU2
V
OL1
V
OL2
V
fU1
V
fU2
V
fL1
V
fL2
LO-
泄漏
TRR
U
TRR
L
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
-
-
50
0.7
-
单位
Enable=H,IN1=IN3=L,IN
2=IN4=H
TSD ARM = 5V
Io=5mA
40
170
-
0.5
1
-
-
-
-
mA
°C
A
V
s
V
V
A
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
ns
ns
Vi=2.4V
Vi=0.4V
Io=1000mA
Io=1300mA
Io=1000mA
Io=1300mA
Io=1000mA
Io=1300mA
Io=1000mA
Io=1300mA
V
MM
=50V
2
-
-0.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.6
-
20
-
1.5
1.8
0.8
1.3
1.6
1.9
1.6
1.9
低饱和晶体管
上二极管的正向
较低的二极管正向
输出漏电流
上二极管recoverly时间
较低的二极管recoverly时间
1.3
1.5
0.5
0.8
1.3
1.6
1.3
1.6
-
250
250
1
-
-
-4-
NJM2670
s
典型用途
1） 。双极步进电机
VS一
INA1
INA2
OUTA1
汽车
OUTA2
感
V
MM
(4
55V)
中央处理器
or
微处理器
允许A
V
CC
VS B
INB1
INB2
OUTB1
OUTB2
感B
GND
允许B
V
CC
TSD
TSD ARM
(V
MM
GND ）
2）。单相直流电机
V
MM
(4
55V)
VS一
INA1
INA2
OUTA1
汽车
OUTA2
感
允许A
中央处理器
or
微处理器
V
CC
VS B
INB1
INB2
V
CC
TSD
TSD ARM
OUTB1
汽车
OUTB2
感B
GND
允许B
(V
MM
GND ）
-5-
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NACZ470M25V6.3X6.3TR13F
NCP15XM472E03RC
NM25C040EN
NCP4587DMX12TCG
NX5313EK
N74F374N
NRA226K50
NCP15XW682
NON-175
NAND01GR3A0AZA6T
NM27C020QE200
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
    地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    NJM2670D2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    NJM2670D2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    NJM2670D2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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深圳市励芯恒智能科技有限公司
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电话：0755-23487994
联系人：雷先生
地址：深圳市福田区华强北振兴西路华康大厦2栋608
NJM2670D2
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电话：0755-82570551
联系人：周女士
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联系人：销售部（可以开17%增票，北京客户，免费送货)
地址：★★★★★北京市海淀区上地十街辉煌国际大厦4号楼B座16室
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电话：13764057178 // 15821228847 // 15026993318
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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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原装现货上海库存，欢迎咨询
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联系人：销售部
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2024
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电话：18026926850/0755-83247709/0755-83247721
联系人：朱小姐 刘小姐
地址：深圳福田区红荔西路上步工业区201栋西座4A88室
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NJR
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联系人：陈小姐/陈先生
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1109+
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