【NTMFS4935N功率MOSFET特点30 V ， 93 A单N沟道， SO- 8 FL低RDS 】,IC型号NTMFS4935NT3G,NTMFS4935NT3G PDF资料,NTMFS4935NT3G经销商,ic,电子元器件-51电子网

NTMFS4935N

功率MOSFET

特点

30 V ， 93 A单N沟道， SO- 8 FL

低R

DS （ ON）

为最大限度地减少传导损耗

低电容，以最大限度地减少驱动器损耗

优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗

这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS

柔顺

http://onsemi.com

（ BR ） DSS

30 V

DS （ ON）

最大

3.2毫瓦@ 10 V

4.2毫瓦@ 4.5 V

93 A

最大

应用

CPU电源交付， DC -DC转换器

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏极

当前

qJA

（注1 ）

功耗

qJA

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

≤

10秒（注1 ）

功耗

qJA

≤

10 s

（注1 ）

连续漏极

当前

qJA

（注2 ）

功耗

qJA

（注2 ）

连续漏极

当前

QJC

（注1 ）

功耗

QJC

（注1 ）

脉冲漏

当前

稳定

状态

= 25°C

= 100°C

= 25°C

= 100°C

= 25°C

= 100°C

= 25°C

= 85°C

= 25°C

= 25 ° C，T

= 10

= 25°C

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

符号

DSS

DMAX

英镑

的dV / D

价值

±20

21.8

13.8

2.63

8.7

单位

D (5,6)

G (4)

S (1,2,3)

N沟道MOSFET

8.2

0.93

275

100

+150

126.1

记号

图

SO- 8扁平引脚

CASE 488AA

风格1

4935N

AYWWG

°C

通过封装电流限制

工作结存储

温度

源电流（体二极管）

漏极到源极的dV / dt

=大会地点

=年

=工作周

= Pb-Free包装

（注：微球可在任一位置）

订购信息

V / ns的

设备

NTMFS4935NT1G

NTMFS4935NT3G

包

SO- 8 FL

（无铅）

SO- 8 FL

（无铅）

航运

1500 /

磁带&卷轴

5000 /

磁带&卷轴

单脉冲Drain - to-Source雪崩

能T

= 25 ° C，V

= 30 V, V

= 10 V,

= 29 A

， L = 0.3 mH的，R

= 25

无铅焊接温度的目的

（ 1/8“从案例10秒）

260

°C

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1，表面安装用1平方式衬垫， 1盎司铜FR4板。

2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

。有关磁带和卷轴规格，

包括部分方向和磁带大小，请

请参阅我们的磁带和卷轴包装规格

宣传册， BRD8011 / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2009年

2009年8月

第4版

出版订单号：

NTMFS4935N/D

NTMFS4935N

热阻最大额定值

参数

结至外壳（漏）

结 - 环境 - 稳态（注3 ）

结 - 环境 - 稳态（注4 ）

结至环境 - （叔

≤

10秒）（注3）

3.表面装上用1平方项垫， 1盎司铜FR4板。

4.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。

符号

QJC

qJA

价值

2.6

47.5

134.8

14.4

° C / W

单位

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

漏极至源极击穿电压

温度COEF网络cient

零栅极电压漏极电流

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

= 10 V

= 4.5 V

正向跨导

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

G（ TH ）

G（ TOT ）

D（上）

D（关闭）

= 4.5 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

= 10 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 4.5 V, V

= 15 V ;我

= 30 A

= 0 V ， F = 1兆赫，V

= 15 V

= 30 A

= 15 A

= 30 A

= 15 A

= 1.5 V，I

= 15 A

收费，电容&栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

阈值的栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏极电荷

总栅极电荷

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

16.3

27.5

6.6

3579

1264

5.6

10.2

3.0

49.4

4850

1710

= 0 V,

= 24 V

= 25°C

= 125°C

= 0 V，I

= 250

1.0

±100

毫伏/°C的

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

栅极 - 源极漏电流

基本特征

（注5 ）

栅极阈值电压

负阈值温度系数

漏极至源极导通电阻

= 0 V, V

±20

= V

, I

= 250

1.2

1.63

4.0

2.7

3.7

2.0

毫伏/°C的

3.2

4.2

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

http://onsemi.com

NTMFS4935N

电气特性

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

开关特性

（注6 ）

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

漏源二极管特性

正向二极管电压

= 25°C

= 0 V ， DIS / DT = 100 A / MS ，

= 30 A

= 0 V,

= 30 A

= 25°C

= 125°C

0.85

0.72

44.4

21.6

22.8

1.1

D（上）

D（关闭）

= 10 V, V

= 15 V,

= 15 A，R

= 3.0

11.2

18.7

28.3

12.1

符号

测试条件

民

典型值

最大

单位

反向恢复时间

充电时间

放电时间

反向恢复电荷

封装寄生效应值

源极电感

排水电感

门电感

栅极电阻

0.65

0.005

1.84

1.1

2.0

5.脉冲测试：脉冲宽度

300

女士，

占空比

2%.

6.开关特性是独立的工作结点温度。

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NTMFS4935N

典型特征

180

160

，漏电流（ A）

140

120

100

160

= 4.0

3.8 V

3.6 V

3.4 V

3.2 V

3.0 V

2.8 V

2.6 V

2.4 V

= 25°C

，漏电流（ A）

140

120

100

1.0

1.5

= 25°C

= 10 V

10 V

4.5

4.2 V

= 125°C

55°C

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

，栅 - 源极电压（ V）

，漏极至源极电压（ V）

图1.区域特征

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

DS （ ON）

，漏源电阻（ W）

0.014

0.013

0.012

0.011

0.010

0.009

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

2.0

0.0050

0.0048

0.0046

0.0044

0.0042

0.0040

0.0038

0.0036

0.0034

0.0032

0.0030

0.0028

0.0026

0.0024

0.0022

0.0020

图2.传输特性

= 30 A

= 25°C

= 4.5

= 10 V

3.0

4.0

5.0

6.0

(V)

7.0

8.0

9.0

100

120

140

160

，漏电流（ A）

图3.导通电阻与V

1.9

1.8 I

= 30 A

1.7 V

= 10 V

1.6

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

50 25

10,000

图4.导通电阻与漏电流和

栅极电压

= 0 V

= 150°C

DSS

，漏电（ NA）

1000

= 125°C

= 85°C

100

DS （ ON）

，漏 - 源

电阻（标准化）

100

125

150

，结温（ ° C）

，漏极至源极电压（ V）

图5.导通电阻变化与

温度

图6.漏 - 源极漏电流

与电压

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NTMFS4935N

典型特征

4500

4000

C，电容（pF ）

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

RSS

，漏极至源极电压（ V）

OSS

国际空间站

QGS

QGD

= 25°C

= 15 V

= 10 V

= 30 A

= 0 V

= 25°C

，栅 - 源极电压（ V）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图7.电容变化

1000

，源电流（ A）

= 15 V

= 15 A

= 10 V

T， TIME （ NS ）

100

D（关闭）

D（上）

图8.栅极 - 源极和

漏极至源极电压与总充电

= 0 V

= 125°C

= 25°C

，栅极电阻（ W）

100

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

，源极到漏极电压（V ）

图9.电阻开关时间变化

与栅极电阻

，单脉冲漏 -

源雪崩能量（兆焦耳）

1000

100

0.1

0.01

≤

20 V

单脉冲

= 25°C

DS （ ON）

极限

热限制

套餐限制

0.1

130

120

110

100

图10.二极管的正向电压与电流

= 29 A

，漏电流（ A）

100

1毫秒

10毫秒

100

125

150

，漏极至源极电压（ V）

，起动结温（ ° C）

图11.最大额定正向偏置

安全工作区

图12.最大雪崩能量 -

开始结温

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