LDMOS场效应晶体管
NE55410GR
N沟道硅功率LDMOS FET
FOR 2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
描述
该NE55410GR是N沟道增强型LDMOS FET设计用于驱动0.1至2.6千兆赫的PA ，例如
如，蜂窝式基站放大器，模拟/数字电视发射机，另一个功率放大器的。本产品有两种不同的
使用我们NEWMOS技术（我们的WSi栅极横向MOS场效应管） ，其氮化物的FET的一个管芯上制造的
表面钝化和四人间层铝硅金属化提供了高度可靠性。
特点
两个不同的场效应管（ Q1 ：P
OUT
= 2 W ， Q2 ：P
OUT
= 10瓦）在一个封装
拥有25 dB的增益可以通过连接两个场效应管的串联
: G
L（ Q1）的
= 13.5 dB典型值。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 ）
= 20 mA时， F = 2 140兆赫）
: G
L（ Q2 ）
= 11.0分贝TYP 。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q2 ）
= 100 mA时， F = 2 140兆赫）
高1 dB压缩输出功率：P
O（1 dB为单位） （ Q1 ）
= 35.4 dBm的典型。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 ）
= 20 mA时， F = 2 140兆赫）
: P
O（1 dB为单位） （ Q2 ）
= 40.4 dBm的典型。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q2 ）
= 100 mA时， F = 2 140兆赫）
高漏极效率
低互调失真
单电源（V
DS
: 3 V
＆ LT ;
V
DS
≤
30 V)
优良的热稳定性
表面安装型，成本超低的塑料封装： 16引脚塑封HTSSOP
集成的ESD保护
对HCI优良的稳定性（热载流子注入）
:
η
D（ Q1 ）
= 52 ％ TYP 。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 ）
= 20 mA时， F = 2 140兆赫）
:
η
D（ Q2 ）
= 46 ％ TYP 。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q2 ）
= 100 mA时， F = 2 140兆赫）
： IM
3 (Q1)
=
40
dBc的典型。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 + Q2）
= 120毫安，
F = 2 132.5 / 2 147.5兆赫，P
OUT
= 33 dBm的（ 2音） ）
应用
数字蜂窝基站的PA ： W-CDMA / GSM / D-AMPS / PDC / N -CDMA / PCS等。
UHF频段电视发射机功率放大器
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10542EJ02V0DS （第2版）
发布日期2005年6月CP （ K）
商标
表示主要修改点。
NE55410GR
订购信息
产品型号
NE55410GR
订单号
NE55410GR-T3-AZ
包
16引脚塑封HTSSOP
（无铅）
记
记号
55410
供给方式
压纹带12mm宽
引脚1和8表示带拉出方向
数量1千件/卷
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号： NE55410GR
引脚连接和内部框图
（ TOP VIEW ）
S
PIN号
1
引脚名称
来源
漏（ Q2 ）
漏（ Q2 ）
漏（ Q2 ）
漏（ Q2 ）
来源
门（Q1）的
来源
PIN号
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚名称
来源
门（Q1）的
来源
漏（ Q1 ）
来源
门（ Q2 ）
门（ Q2 ）
来源
9
10
11
12
13
14
15
16
S
Q1
S
8
7
2
3
4
5
6
7
8
S
S
S
S
6
5
4
3
2
Q2
S
S
S
1
S
备注
一个Q2的所有终端连接到
电路。背面：源极（S ）
绝对最大额定值（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ Q1 ）
漏电流（ Q2 ）
器件总功耗（T
例
= 25°C)
输入功率（ Q1 ）
输入功率（ Q2 ）
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D（ Q1 ）
I
D（ Q2 ）
P
合计
P
（Q1）中
P
在（Q2）的
T
ch
T
英镑
F = 2.14千兆赫，V
DS
= 28 V
F = 2.14千兆赫，V
DS
= 28 V
测试条件
评级
65
±7
0.25
1.0
40
0.3
1.5
150
65
+150
单位
V
V
A
A
W
W
W
°C
°C
2
数据表PU10542EJ02V0DS
NE55410GR
射频特性（T
A
= +25°C)
参数
Q1
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
Q2
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
Q1 + Q2
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
输出功率
线性增益
三阶互调失真
漏EF网络效率
P
O（1 dB为单位）
F = 880兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 120 MA（ Q1 + Q2）
P
in
= 5 dBm的
F = 2 140兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 120 MA（ Q1 + Q2）
P
in
= 16 dBm的
P
in
= 10 dBm的
F = 2 132.5 / 2 147.5兆赫，V
DS
= 28 V,
2载波W -CDMA 3GPP ，测试模型1 ，
64DPCH ， 67 ％的剪裁，
I
DSET
= 120 MA（ Q1 + Q2 ）
大道P
OUT
= 33 dBm的
34
39
24
41.5
55
30
40.0
42
40
25
40
21
DBM
%
dB
DBM
%
dB
dB
dBc的
%
P
O（1 dB为单位）
F = 2 140兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 100毫安
P
in
= 20 dBm的
F = 1 840兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 100毫安
P
in
= 20 dBm的
9.5
40.4
46
11
40.5
49
14
DBM
%
dB
DBM
%
dB
P
O（1 dB为单位）
F = 2 140兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 20毫安
P
in
= 15 dBm的
12
35.4
52
13.5
DBM
%
dB
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
η
d
G
L
η
d
G
L
P
O（1 dB为单位）
η
d
G
L
η
d
G
L
P
O（1 dB为单位）
η
d
P
OUT
G
L
IM
3
η
d
4
数据表PU10542EJ02V0DS
数据表
LDMOS场效应晶体管
NE55410GR
N沟道硅功率LDMOS FET
FOR 2 W + 10瓦VHF到L波段单端功率放大器
描述
该NE55410GR是N沟道增强型LDMOS FET设计用于驱动0.1至2.6千兆赫的PA ，例如
如，蜂窝式基站放大器，模拟/数字电视发射机，另一个功率放大器的。本产品有两种不同的
使用我们NEWMOS技术（我们的WSi栅极横向MOS场效应管） ，其氮化物的FET的一个管芯上制造的
表面钝化和四人间层铝硅金属化提供了高度可靠性。
特点
两个不同的场效应管（ Q1 ：P
OUT
= 2 W ， Q2 ：P
OUT
= 10瓦）在一个封装
拥有25 dB的增益可以通过连接两个场效应管的串联
: G
L（ Q1）的
= 13.5 dB典型值。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 ）
= 20 mA时， F = 2 140兆赫）
: G
L（ Q2 ）
= 11.0分贝TYP 。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q2 ）
= 100 mA时， F = 2 140兆赫）
高1 dB压缩输出功率：P
O（1 dB为单位） （ Q1 ）
= 35.4 dBm的典型。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 ）
= 20 mA时， F = 2 140兆赫）
: P
O（1 dB为单位） （ Q2 ）
= 40.4 dBm的典型。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q2 ）
= 100 mA时， F = 2 140兆赫）
高漏极效率
低互调失真
<R>
单电源（V
DS
: 3 V
＆ LT ;
V
DS
≤
32 V)
优良的热稳定性
表面安装型，成本超低的塑料封装： 16引脚塑封HTSSOP
集成的ESD保护
对HCI优良的稳定性（热载流子注入）
:
η
D（ Q1 ）
= 52 ％ TYP 。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 ）
= 20 mA时， F = 2 140兆赫）
:
η
D（ Q2 ）
= 46 ％ TYP 。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q2 ）
= 100 mA时， F = 2 140兆赫）
： IM
3 (Q1)
=
40
dBc的典型。 （V
DS
= 28 V，I
DSET （ Q1 + Q2）
= 120毫安，
F = 2 132.5 / 2 147.5兆赫，P
OUT
= 33 dBm的（ 2音） ）
应用
<R>
数字蜂窝基站的PA ： W-CDMA / GSM / D-AMPS / N -CDMA / PCS等。
UHF频段电视发射机功率放大器
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10542EJ03V0DS （第3版）
发布日期2007年1月NS CP （N ）
日本印刷
2004, 2007
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NE55410GR
订购信息
产品型号
NE55410GR
订单号
NE55410GR-T3-AZ
包
16引脚塑封HTSSOP
（无铅）
记
记号
55410
供给方式
压纹带12mm宽
引脚1和8表示带拉出方向
数量1千件/卷
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号： NE55410GR
引脚连接和内部框图
（ TOP VIEW ）
S
9
10
11
12
13
14
15
16
S
S
S
S
Q2
S
S
S
S
Q1
S
8
7
6
5
4
3
2
1
6
7
8
来源
门（Q1）的
来源
14
15
16
门（ Q2 ）
门（ Q2 ）
来源
PIN号
1
2
3
4
5
引脚名称
来源
漏（ Q2 ）
漏（ Q2 ）
漏（ Q2 ）
漏（ Q2 ）
PIN号
9
10
11
12
13
引脚名称
来源
门（Q1）的
来源
漏（ Q1 ）
来源
S
备注
一个Q2的所有终端连接到
电路。背面：源极（S ）
绝对最大额定值（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ Q1 ）
漏电流（ Q2 ）
器件总功耗（T
例
= 25°C)
输入功率（ Q1 ）
输入功率（ Q2 ）
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D（ Q1 ）
I
D（ Q2 ）
P
合计
P
（Q1）中
P
在（Q2）的
T
ch
T
英镑
F = 2.14千兆赫，V
DS
= 28 V
F = 2.14千兆赫，V
DS
= 28 V
测试条件
评级
65
±7
0.25
1.0
40
0.3
1.5
150
65
+150
单位
V
V
A
A
W
W
W
°C
°C
2
数据表PU10542EJ03V0DS
NE55410GR
<R>
射频特性（T
A
= +25°C)
参数
Q1
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
Q2
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
Q1 + Q2
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
线性增益
增益1 dB压缩输出功率
漏EF网络效率
输出功率
线性增益
三阶互调失真
漏EF网络效率
P
O（1 dB为单位）
F = 880兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 120 MA（ Q1 + Q2）
F = 2 140兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 120 MA（ Q1 + Q2）
34
39
24
F = 2 132.5 / 2 147.5兆赫，V
DS
= 28 V,
2载波W -CDMA 3GPP ，测试模型1 ，
64DPCH ， 67 ％的剪裁，
I
DSET
= 120 MA（ Q1 + Q2 ）
大道P
OUT
= 33 dBm的
41.5
55
30
40.0
42
40
25
40
21
DBM
%
dB
DBM
%
dB
dB
dBc的
%
P
O（1 dB为单位）
F = 2 140兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 100毫安
9.5
F = 1 840兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 100毫安
40.4
46
11
40.5
49
14
DBM
%
dB
DBM
%
dB
P
O（1 dB为单位）
F = 2 140兆赫，V
DS
= 28 V,
I
DSET
= 20毫安
12
35.4
52
13.5
DBM
%
dB
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
η
d
G
L
Note1
η
d
G
L
Note2
P
O（1 dB为单位）
η
d
G
L
Note2
η
d
G
L
Note3
P
O（1 dB为单位）
η
d
P
OUT
G
L
Note4
IM
3
η
d
注意事项1 。
P
in
= 15 dBm的
2.
P
in
= 20 dBm的
3.
P
in
= 5 dBm的
4.
P
in
= 10 dBm的
4
数据表PU10542EJ03V0DS
