NCP1253
电流模式PWM
控制器离线
电源
的NCP1253能够高度集成PWM控制器
提供一个坚固，高性能离线式电源中的一个
微小的TSOP -6封装。随着电源电压范围高达28 V，控制器
举办高峰运营的抖动65 kHz或100 kHz的开关电路
电流模式控制。当在次级侧上的功率开始
下降时，控制器自动折回它的开关
频率降低到26千赫的最小水平。作为功率进一步
下山时，器件进入跳周期，同时限制峰值电流。
为了避免在CCM工作模式分谐波振荡，可调
通过该系列包括一个简单的斜率补偿可
电阻器中的电流检测信号。
除了自动恢复基于定时器的短路保护，
在对V电压保护
CC
引脚保护整个电路
光电耦合器的情况下破坏或不利的开环运行。
特点
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1
TSOP6
CASE 318G
13风格
标记图
固定频率65 kHz或100 kHz的电流模式控制
53xAYWG
G
1
53
x
A
Y
W
G
=具体设备守则
= A， 2 ， C或D
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
手术
频率折返向下，以26 kHz和跳过周期在轻载
条件
可调节斜坡补偿
内部固定为4 ms软启动
基于计时器的自动恢复或锁定短路保护
在正常和频率折返模式频率抖动
锁存OVP上的V
CC
高达28 V V
CC
手术
极低的空载待机功耗
这些无铅器件
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
GND
FB
NC
1
2
3
（ TOP VIEW ）
6
5
4
DRV
V
CC
CS
典型应用
AC-DC转换器，用于电视，机顶盒和打印机
离线适配器的笔记本电脑和上网本
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年1月
第0版
1
出版订单号：
NCP1253/D
NCP1253
VBULK
.
.
VOUT
.
NCP1253
1
2
3
6
5
4
坡道
比较。
图1.典型应用电路图
引脚功能说明
PIN号
1
2
3
4
5
引脚名称
GND
FB
NC
CS
V
CC
功能
反馈引脚
非连接的销
电流检测+斜坡补偿
供应控制器 - 保护IC
该控制器接地。
挂钩光耦合器集电极到该引脚将使
调节。
销是电惰性的，并且在必要时可接地
该引脚监视初级峰值电流，也提供了一个
指引入斜坡补偿。
该引脚被连接到外部辅助电压。过压保护（OVP）
比较器监视该引脚，并提供锁存的手段
变频器在故障状态。
驱动器的输出向外部MOSFET的栅极。
描述
6
DRV
驱动器输出
选项
调节器
NCP1253ASN65T1G
NCP1253BSN65T1G
NCP1253ASN100T1G
NCP1253BSN100T1G
频率
65千赫
65千赫
100千赫
100千赫
OCP锁
是的
No
是的
No
OCP自动恢复
No
是的
No
是的
订购信息
包
记号
53A
532
53C
53D
OCP
保护
LATCH
AUTO
恢复
LATCH
AUTO
恢复
开关
频率
（千赫）
65
65
100
100
TSOP6
（无铅）
3000 /磁带&卷轴
设备
NCP1253ASN65T1G
NCP1253BSN65T1G
NCP1253ASN100T1G
NCP1253BSN100T1G
包
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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2
NCP1253
IpFlag
BO
VCC逻辑
管理
和故障定时器
VDD
UVLO
20us的时间
不变
动力
上电复位
S
Q
Q
VDD
VOVP
RLIM
VCC
R
电源
RESET
频率
调制
65千赫
100千赫
时钟
钳
S
Q
Q
R
频率
折返
Vfold
DRV
Vskip
RRAMP
VDD
RFB
4毫秒
SS
在软启动被激活：
启动顺序
自动恢复连拍模式
VLIMIT
IpFlag
/ 4.2
FB
VFB < 1.05 V ？设定值= 250 mV的
CS
LEB
250毫伏
峰值电流
FREEZE
GND
图2.内部电路架构
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3
NCP1253
最大额定值表
符号
V
CC
R
QJ -A
T
， MAX
等级
电源电压，V
cc
针，连续电压
低电源引脚CS和FB最大电压
热阻结到空气
最高结温
存储温度范围
ESD能力，人体模型，所有引脚
ESD能力，机器型号
价值
28
0.3
10
360
150
60
+150
2
200
单位
V
V
° C / W
°C
°C
kV
V
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1.该系列器件包含ESD保护和超过以下测试：每MIL-STD- 883 ，方法3015人体模型2000伏。
机模型法200 V.
2.此设备包含闭锁保护和超过每JEDEC标准JESD78百毫安。
电气特性
（对于典型值T
J
= 25 ℃，最小/最大值T
J
=
40°C
至+ 125°C ，最大牛逼
J
= 150℃ ，V
CC
= 12伏，除非另有说明）
符号
VCC
ON
VCC
（分钟）
VCC
HYST
V
齐纳
ICC1
ICC2
ICC3
ICC2
ICC3
ICCSTBY
ICC
LATCH
ICC
LATCH
等级
V
CC
在此驱动脉冲被授权提高水平
V
CC
在此驱动脉冲停止下降水平
滞后的Vcc
ON
-vcc
（分钟）
钳位V
CC
当锁断@我
CC
= 500
mA
启动电流
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安，
F
SW
= 65千赫和C
L
= 0
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安，
F
SW
= 65千赫和C
L
= 1 nF的
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安，
F
SW
= 100千赫和C
L
= 0
IC内部消费与我
FB
= 50
毫安，
F
SW
= 100千赫和C
L
= 1 nF的
IC内部消费，而在跳脉冲模式（V
CC
= 12 V ，驱动一个典型的
6 A / 600 V MOSFET ）
电流流入V
CC
销，保持锁存器 -
T
J
= 0 125 ℃下
电流流入V
CC
销，保持锁存器 -
T
J
=
40°C
至125℃
针
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
32
40
民
16
8.2
6
典型值
18
8.8
7
1.4
2.1
1.7
3.1
550
最大
20
9.4
15
2.2
3.0
2.5
4.0
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
输出驱动器
T
r
T
f
R
OH
R
OL
I
来源
I
SINK
V
DRVlow
V
DRVhigh
输出电压上升时间@
L
= 1 nF的，输出信号的10-90％
输出电压的下降时间@
L
= 1 nF的，输出信号的10-90％
源电阻
沉电阻
峰源电流，V
GS
= 0V （注3）
峰值灌电流，V
GS
= 12 V （注3 ）
在V DRV引脚电平
CC
接近VCC
（分钟）
一个33千瓦的电阻到GND
在V DRV引脚电平
CC
= 28 V - DRV卸载
6
6
6
6
6
6
6
6
8
10
40
30
13
6
300
500
12
14
ns
ns
W
W
mA
mA
V
V
3.设计保证
电流比较器
I
IB
V
Limit1
V
Limit2
输入偏置电流@在第4针0.8 V输入电平
最大内部电流设定值 - T的
J
= 25
°C
最大内部电流设定值 - T的
J
=
40°
到125
°C
4
4
4
0.744
0.72
0.02
0.8
0.8
0.856
0.88
mA
V
V
http://onsemi.com
4
