【先进的技术信息HiPerFETTM功率MOSFETQ系列N沟道增强模式额定雪崩，高dv / dt低栅】,IC型号IXFT75N10Q,IXFT75N10Q PDF资料,IXFT75N10Q经销商,ic,电子元器件-51电子网

先进的技术信息

HiPerFET

功率MOSFET

Q系列

N沟道增强模式

额定雪崩，高dv / dt

低栅极电荷和电容

IXFH 75N10Q

IXFT 75N10Q

DS （ ON）

DSS

D25

= 100 V

= 75 A

= 20毫瓦

200ns

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

100

±20

±30

300

1.5

300

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

AD TO- 247 （ IXFH ）

（ TAB ）

TO- 268 （ IXFT ）机箱样式

G =门

S =源

D =漏

TAB =漏

（ TAB ）

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

安装力矩

的TO- 247的AD

TO-268

300

特点

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

250 A

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 25°C

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

100

2.0

±100

IXYS先进的低栅极电荷

过程

国际标准封装

低栅极电荷和电容

- 容易驾驶

- 更快的切换

低R

DS （ ON）

非钳位感应开关（ UIS）

评级

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

优势

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

易于安装

节省空间

高功率密度

98550A (6/99)

IXFH 75N10Q

IXFT 75N10Q

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3700

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

1300

425

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 4.7

（外部）

140 180

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

0.42

(TO-247)

0.25

K / W

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

的TO- 247的AD概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

DIM 。

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0 V

重复;

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

300

1.5

200

毫米

分钟。

马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

TO- 268外形

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

= 50A ， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 50 V

0.85

闵推荐足迹

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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