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PD - 91365B
IRFR/U120N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
表面贴装( IRFR120N )
直铅( IRFU120N )
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.21
I
D
= 9.4A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
-P A K
T O服务-252 A A
I-P第k
T O服务-25 1A一
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
9.4
6.6
38
48
0.32
± 20
91
5.7
4.8
5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.1
50
110
单位
° C / W
www.irf.com
1
5/11/98
IRFR/U120N
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.5
23
32
23
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.21
V
GS
= 10V ,我
D
= 5.6A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 5.7A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
25
I
D
= 5.7A
4.8
nC
V
DS
= 80V
11
V
GS
= 10V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 5.7A
ns
–––
R
G
= 22
–––
R
D
= 8.6Ω ,参照图10
铅之间,
4.5
–––
nH
6毫米(0.25英寸)。
G
从包
7.5 –––
与模具接触中心?
330 –––
V
GS
= 0V
92 –––
pF
V
DS
= 25V
54 –––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 9.4
展示
A
G
整体反转
––– –––
38
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 5.5A ,V
GS
= 0V
––– 99 150
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 5.7A
––– 390 580
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 4.7mH
R
G
= 25, I
AS
= 5.7A 。 (参见图12)
T
J
175°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
这是适用于I- PAK , D- PAK的LS是铅的测定
模具联络中心
I
SD
5.7A , di / dt的
240A / μs的,V
DD
≤V
( BR ) DSS
,
使用IRF520N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
2
www.irf.com
IRFR/U120N
100
I,D雨 - 源极电流(A )
D
I,D雨 - 源极电流(A )
D
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4 .5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
T
C
= 17 5°C
0.1
1
10
100
4.5 V
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 2 5°C
0.1
1
10
100
1
A
1
A
V·D S,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
V DS ,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= 9 .5A
I
D
,D雨来-S OU RCE urren T(A )
2.5
2.0
T
J
= 2 5 °C
10
T
J
= 17 5 °C
1.5
1.0
0.5
D和
1
4
5
6
7
V
DS
= 50V
2 0 μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
,G吃 - 来 - 所以URC Voltag E( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U120N
600
500
C
国际空间站
C,电容(pF )
400
300
C
OSS
V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
20
I
D
= 5.7 A
16
V
S
= 80 V
V
S
= 50 V
V
S
= 20 V
12
8
200
C
RSS
4
100
0
1
10
100
A
0
0
5
10
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
15
20
25
A
V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,T otal摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
,反向雨光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE
B Y形
S(O N)
10s
I
D
,排水光凭目前 (A )
10
100 s
T
J
= 17 5°C
10
T
J
= 2 5°C
1米s
1
10米s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
1.4
1000
A
V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U120N
10.0
V
DS
8.0
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
-
V
DD
6.0
5.0V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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IRFR/U120N
HEXFET
功率MOSFET
l
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l
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l
表面贴装( IRFR120N )
直铅( IRFU120N )
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.21
I
D
= 9.4A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
-P A K
T O服务-252 A A
I-P第k
T O服务-25 1A一
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
9.4
6.6
38
48
0.32
± 20
91
5.7
4.8
5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.1
50
110
单位
° C / W
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1
5/11/98
IRFR/U120N
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.5
23
32
23
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.21
V
GS
= 10V ,我
D
= 5.6A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 5.7A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
25
I
D
= 5.7A
4.8
nC
V
DS
= 80V
11
V
GS
= 10V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 5.7A
ns
–––
R
G
= 22
–––
R
D
= 8.6Ω ,参照图10
铅之间,
4.5
–––
nH
6毫米(0.25英寸)。
G
从包
7.5 –––
与模具接触中心?
330 –––
V
GS
= 0V
92 –––
pF
V
DS
= 25V
54 –––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 9.4
展示
A
G
整体反转
––– –––
38
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 5.5A ,V
GS
= 0V
––– 99 150
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 5.7A
––– 390 580
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 4.7mH
R
G
= 25, I
AS
= 5.7A 。 (参见图12)
T
J
175°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
这是适用于I- PAK , D- PAK的LS是铅的测定
模具联络中心
I
SD
5.7A , di / dt的
240A / μs的,V
DD
≤V
( BR ) DSS
,
使用IRF520N数据和测试条件
**当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994
2
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IRFR/U120N
100
I,D雨 - 源极电流(A )
D
I,D雨 - 源极电流(A )
D
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4 .5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
T
C
= 17 5°C
0.1
1
10
100
4.5 V
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 2 5°C
0.1
1
10
100
1
A
1
A
V·D S,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
V DS ,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= 9 .5A
I
D
,D雨来-S OU RCE urren T(A )
2.5
2.0
T
J
= 2 5 °C
10
T
J
= 17 5 °C
1.5
1.0
0.5
D和
1
4
5
6
7
V
DS
= 50V
2 0 μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
,G吃 - 来 - 所以URC Voltag E( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
www.irf.com
3
IRFR/U120N
600
500
C
国际空间站
C,电容(pF )
400
300
C
OSS
V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
20
I
D
= 5.7 A
16
V
S
= 80 V
V
S
= 50 V
V
S
= 20 V
12
8
200
C
RSS
4
100
0
1
10
100
A
0
0
5
10
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
15
20
25
A
V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,T otal摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
,反向雨光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE
B Y形
S(O N)
10s
I
D
,排水光凭目前 (A )
10
100 s
T
J
= 17 5°C
10
T
J
= 2 5°C
1米s
1
10米s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
1.4
1000
A
V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
www.irf.com
IRFR/U120N
10.0
V
DS
8.0
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
-
V
DD
6.0
5.0V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.irf.com
5
PD - 91364B
IRFR/U3910
HEXFET
功率MOSFET
超低导通电阻
l
表面贴装( IRFR3910 )
l
直铅( IRFU3910 )
l
先进的工艺技术
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.115
I
D
= 16A
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
-P A K
T O服务-252 A A
I-P第k
T O服务-25 1A一
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
16
12
60
79
0.53
± 20
150
9.0
7.9
5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.9
50
110
单位
° C / W
www.kersemi.com
1
5/11/98
IRFR/U3910
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
6.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.4
27
37
25
4.5
7.5
640
160
88
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.115
V
GS
= 10V ,我
D
= 10A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 50V ,我
D
= 9.0A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
44
I
D
= 9.0A
6.2
nC
V
DS
= 80V
21
V
GS
= 10V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 9.0A
ns
–––
R
G
= 12
–––
R
D
= 5.5Ω ,见图。 10
铅之间,
–––
nH
6毫米(0.25英寸)。
G
从包
–––
与模具接触中心?
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
16
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
60
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 9.0A ,V
GS
= 0V
––– 130 190
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 9.0A
––– 650 970
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 3.1mH
R
G
= 25, I
AS
= 9.0A 。 (参见图12)
T
J
175°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
这是适用于I- PAK , D- PAK的LS是铅的测定
模具联络中心
I
SD
9.0A , di / dt的
520A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
使用IRF530N数据和测试条件
2
www.kersemi.com
IRFR/U3910
100
I,D雨来-S ourc式C光凭目前( A)
D
10
I,D雨来-S ourc式C光凭目前( A)
D
VG s
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOT TOM 4.5V
顶部
10
4 .5V
4.5V
1
0.1
1
20μs的P ü LS东西TH ID
T
J
= 25°C
10
A
100
1
0.1
1
20微秒P ü LS东西TH ID
T
J
= 1 75°C
10
100
A
VD S,漏到-S环境允许的电压(V )
V·D S,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= 1 5A
I
D
,D RA在-to -S ourc式C光凭目前( A)
2.5
T
J
= 2 5 °C
T
J
= 1 75 °C
2.0
10
1.5
1.0
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 5 0V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
,G吃了对-SO urce Voltag E( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFR/U3910
1200
1000
C,C APAC ITANC E( pF)的
C
国际空间站
800
600
C
OSS
400
V
的s
,G吃了对S 0 URC V oltage ( V)
V
GS
C
为s
C
RSS
C
OS s
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
gd
, C
ds
中文 T E
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 9 .0A
V
S
= 80 V
V
S
= 50 V
V
S
= 20 V
16
12
8
C
RS s
200
4
0
1
10
100
A
0
0
5
10
15
20
FO 释T C IR ú IT
性S E ê F IG ü 1 3
25
30
35
40
45
A
V
S
,漏到-S ourc é电压(V )
Q
G
,T otal摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
SD
,反向雨光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R ê A L IM ITE
B Y形
S(O N)
I
D
,排水光凭目前 (A )
100
T
J
= 1 75 °C
10
10 s
T
J
= 2 5°C
10
100 s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
的s
= 0 V
1.4
A
1.6
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
1米s
10米s
100
1000
A
V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U3910
20
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
15
R
G
-
V
DD
5.0V
10
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
P
DM
单脉冲
(热反应)
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.02
0.01
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
www.kersemi.com
5
PD - 91365B
IRFR/U120N
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
表面贴装( IRFR120N )
直铅( IRFU120N )
先进的工艺技术
快速开关
全额定雪崩
D
V
DSS
= 100V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.21
I
D
= 9.4A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这
益处,结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率
MOSFET是众所周知的,为设计者提供
以在很宽的一个非常有效的装置,用于使用
各种应用程序。
在D- Pak是专为使用表面安装
气相,红外,或波焊工艺。
直引线型( IRFU系列)是吞吐量
孔安装的应用程序。功耗水平
达1.5瓦特是可能的典型的表面贴装
应用程序。
-P A K
T O服务-252 A A
I-P第k
T O服务-25 1A一
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流
重复性雪崩能量????
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
9.4
6.6
38
48
0.32
± 20
91
5.7
4.8
5.0
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境(印刷电路板安装) **
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
3.1
50
110
单位
° C / W
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1
5/11/98
IRFR/U120N
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
100
–––
–––
2.0
2.7
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
4.5
23
32
23
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安
0.21
V
GS
= 10V ,我
D
= 5.6A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 5.7A
25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
25
I
D
= 5.7A
4.8
nC
V
DS
= 80V
11
V
GS
= 10V ,参照图6和13
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= 5.7A
ns
–––
R
G
= 22
–––
R
D
= 8.6Ω ,参照图10
铅之间,
4.5
–––
nH
6毫米(0.25英寸)。
G
从包
7.5 –––
与模具接触中心?
330 –––
V
GS
= 0V
92 –––
pF
V
DS
= 25V
54 –––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 9.4
展示
A
G
整体反转
––– ––– 38
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= 5.5A ,V
GS
= 0V
––– 99 150
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= 5.7A
––– 390 580
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 4.7mH
R
G
= 25, I
AS
= 5.7A 。 (参见图12)
T
J
175°C
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%
这是适用于I- PAK , D- PAK的LS是铅的测定
模具联络中心
I
SD
5.7A , di / dt的
240A / μs的,V
DD
≤V
( BR ) DSS
,
使用IRF520N数据和测试条件
2
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IRFR/U120N
100
I,D雨 - 源极电流(A )
D
I,D雨 - 源极电流(A )
D
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
100
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
10
10
4 .5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
T
C
= 17 5°C
0.1
1
10
100
4.5 V
20 μ S·P ü LS东西TH ID
T
C
= 2 5°C
0.1
1
10
100
1
A
1
A
V·D S,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
V DS ,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.0
R
S(上)
,漏到-S环境允许 n个电阻
(N ORM alized )
I
D
= 9 .5A
I
D
,D雨来-S OU RCE urren T(A )
2.5
2.0
T
J
= 2 5 °C
10
T
J
= 17 5 °C
1.5
1.0
0.5
d
1
4
5
6
7
V
DS
= 50V
2 0 μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
,G吃 - 来 - 所以URC Voltag E( V)
T
J
,结牛逼EM perature ( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFR/U120N
600
500
C
国际空间站
C,电容(pF )
400
300
C
OSS
V
的s
,G吃了对-S环境允许的V oltage ( V)
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
20
I
D
= 5.7 A
16
V
S
= 80 V
V
S
= 50 V
V
S
= 20 V
12
8
200
C
RSS
4
100
0
1
10
100
A
0
0
5
10
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
15
20
25
A
V
S
,D雨来-S ourc é V oltage ( V)
Q
G
,T otal摹吃哈耶( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
I
SD
,反向雨光凭目前 (A )
P·E R A TIO N IN TH IS A R E A LIM ITE
B Y形
S(O N)
10s
I
D
,排水光凭目前 (A )
10
100 s
T
J
= 17 5°C
10
T
J
= 2 5°C
1米s
1
10米s
1
0.4
0.6
0.8
1.0
V
的s
= 0V
1.2
A
0.1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
1.4
1000
A
V
S.D。
,S ourc E-到-D雨V oltage ( V)
V
S
,D雨来-S环境允许的V oltage ( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U120N
10.0
V
DS
8.0
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
+
I
D
,漏电流( A)
-
V
DD
6.0
5.0V
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
4.0
图10A 。
开关时间测试电路
2.0
V
DS
90%
0.0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10B 。
开关时间波形
10
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
(热反应)
P
DM
t
1
t
2
注意事项:
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.1
0.01
0.00001
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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