【PD -93799AIRF7324HEXFET功率MOSFETqqqqqq沟槽技术超低导通电阻双P沟】,IC型号IRF7324,IRF7324 PDF资料,IRF7324经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD -93799A

IRF7324

HEXFET

功率MOSFET

q

q

q

q

q

q

沟槽技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

薄型（ <1.1毫米）

可在磁带卷&

2.5V额定

S1

G1

S2

G2

1

8

D1

D1

D2

D2

2

7

V

DSS

= -20V

3

6

4

5

R

DS （ ON）

= 0.018

描述

新沟HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现极低的导通电阻每硅片面积。

这样做的好处，结合坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

在电池和负载管理使用可靠的设备

应用程序。

T O服务P V IE W

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-9.0

-7.1

-71

2.0

1.3

16

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

R

θJA

马克斯。

最大结点到环境

参数

单位

62.5

° C / W

www.irf.com

1

6/26/00

IRF7324

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-20

–––

–––

–––

-0.45

19

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

-0.02

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

42

7.1

12

17

36

170

190

2940

630

420

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

0.018

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -9.0A

0.026

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -7.7A

-1.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -9.0A

-1.0

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -12V

nA

100

V

GS

= 12V

63

I

D

= -9.0A

11

nC

V

DS

= -16V

18

V

GS

= -5.0V

–––

V

DD

= -10V

–––

I

D

= -1.0A

ns

–––

R

G

= 6.0

–––

R

D

= 10

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -15V

–––

= 1.0MHz的

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

180

300

-2.0

A

-71

-1.2

270

450

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.0A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.0A

的di / dt = -100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

2

www.irf.com

IRF7324

1000

VGS

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-2.0V

-1.5V

-1.3V

-1.0V

BOTTOM -0.75V

顶部

1000

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-2.0V

-1.5V

-1.3V

-1.0V

BOTTOM -0.75V

顶部

10

1

1

-0.75V

0.1

0.1

-0.75V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.01

0.1

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -9.0A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 150

°

C

10

1.0

T

J

= 25

°

C

1

0.5

0.1

0.5

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF7324

5000

4000

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

=

-9.0A

V

DS

= -16V

8

C，电容（pF ）

3000

西塞

6

2000

4

1000

科斯

CRSS

1

10

100

2

0

0

0

10

20

30

40

50

60

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

SD

，反向漏电流（ A）

10

-I

D

，漏电流（ A）

I

T

J

= 150

°

C

100

10us

T

J

= 25

°

C

1

100us

10

1ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

10ms

100

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF7324

10.0

V

DS

8.0

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

6.0

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

4.0

图10A 。

开关时间测试电路

2.0

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

0.0

25

50

75

100

125

150

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.001

0.01

0.1

1

10

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

www.irf.com

-

V

DD

5

PD -93799A

IRF7324

HEXFET

功率MOSFET

q

q

q

q

q

q

沟槽技术

超低导通电阻

双P沟道MOSFET

薄型（ <1.1毫米）

可在磁带卷&

2.5V额定

S1

G1

S2

G2

1

8

D1

D1

D2

D2

2

7

V

DSS

= -20V

3

6

4

5

R

DS （ ON）

= 0.018

描述

新沟HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现极低的导通电阻每硅片面积。

这样做的好处，结合坚固耐用的设备的设计

该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，

为设计者提供了一个非常有效和

在电池和负载管理使用可靠的设备

应用程序。

T O服务P V IE W

SO-8

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J

, T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

连续漏电流， V

GS

@ -4.5V

漏电流脉冲

最大功率耗散

最大功率耗散

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-20

-9.0

-7.1

-71

2.0

1.3

16

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

W

毫瓦/°C的

V

°C

热阻

R

θJA

马克斯。

最大结点到环境

参数

单位

62.5

° C / W

www.irf.com

1

6/26/00

IRF7324

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

-20

–––

–––

–––

-0.45

19

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

-0.02

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

42

7.1

12

17

36

170

190

2940

630

420

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= -1mA

0.018

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -9.0A

0.026

V

GS

= -2.5V ，我

D

= -7.7A

-1.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

–––

S

V

DS

= -10V ，我

D

= -9.0A

-1.0

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V

A

-25

V

DS

= -16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

-100

V

GS

= -12V

nA

100

V

GS

= 12V

63

I

D

= -9.0A

11

nC

V

DS

= -16V

18

V

GS

= -5.0V

–––

V

DD

= -10V

–––

I

D

= -1.0A

ns

–––

R

G

= 6.0

–––

R

D

= 10

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= -15V

–––

= 1.0MHz的

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

180

300

-2.0

A

-71

-1.2

270

450

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= -2.0A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= -2.0A

的di / dt = -100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

2

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IRF7324

1000

VGS

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-2.0V

-1.5V

-1.3V

-1.0V

BOTTOM -0.75V

顶部

1000

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

10

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

-4.5V

-3.5V

-2.5V

-2.0V

-1.5V

-1.3V

-1.0V

BOTTOM -0.75V

顶部

10

1

1

-0.75V

0.1

0.1

-0.75V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

0.01

0.1

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= -9.0A

-I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 150

°

C

10

1.0

T

J

= 25

°

C

1

0.5

0.1

0.5

V DS = -15V

20μs的脉冲宽度

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= -4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF7324

5000

4000

-V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

=

-9.0A

V

DS

= -16V

8

C，电容（pF ）

3000

西塞

6

2000

4

1000

科斯

CRSS

1

10

100

2

0

0

0

10

20

30

40

50

60

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

SD

，反向漏电流（ A）

10

-I

D

，漏电流（ A）

I

T

J

= 150

°

C

100

10us

T

J

= 25

°

C

1

100us

10

1ms

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1

0.1

T

C

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

10ms

100

-V

SD

，源极到漏极电压（V ）

-V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRF7324

10.0

V

DS

8.0

R

D

V

GS

R

G

D.U.T.

+

-I

D

，漏电流（ A）

6.0

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

4.0

图10A 。

开关时间测试电路

2.0

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

GS

0.0

25

50

75

100

125

150

10%

T

C

，外壳温度（ ° C）

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

V

DS

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

1

0.01

P

DM

t

1

t

2

单脉冲

（热反应）

0.1

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.001

0.01

0.1

1

10

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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-

V

DD

5

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上海意淼电子科技有限公司

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只做进口原装，假一赔十；欢迎致电：杨先生15001712988

深圳市恒达亿科技有限公司

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深圳市恒佳微电子有限公司

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