IS61LV6416
特点
64K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
??高速存取时间：8， 10，12，和15纳秒
CMOS低功耗运行
- 250毫瓦（典型值）的操作
- 250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
描述
该
1+51
IS61LV6416是一个高速， 1048576位静态
RAM （16位）组织为65,536字。据制作
运用
1+51
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术，产量的存取时间快8 ns的低功耗
消费。
当
CE
为高（取消） ，器件处于待机
模式，在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展，通过使用芯片使能提供，
输出使能输入，
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能（ WE）控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节（ UB ）和低字节（ LB ）
访问。
该IS61LV6416打包在JEDEC标准的44引脚
400mil SOJ ， 44引脚400mil TSOP - 2 ，以及48引脚6 * 8毫米TF-
BGA 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR013-0C
1
IS61LV6416
销刀豆网络gurations
44引脚SOJ
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
44引脚TSOP- 2
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
VCC
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
VCC
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
48引脚6x8mm TF -BGA
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
0
I / O
1
GND
VCC
I / O
5
I / O
7
NC
引脚说明
5
A6
CE
I / O
13
I / O
12
I / O
11
I / O
10
WE
A15
2
OE
UB
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
6
NC
A12
3
A3
A2
A0
NC
NC
A9
A11
A13
4
A7
A1
A4
A5
NC
A8
A10
A14
6
N / C
I / O
15
I / O
14
VCC
GND
I / O
9
I / O
8
NC
A0-A15
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
LB
UB
NC
VCC
GND
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I / O0 -I / O7 I / O8 -I / O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
VCC电流
I
SB
, I
SB
I
CC
I
CC
写
I
CC
2
集成电路解决方案公司
SR013-0C
IS61LV6416
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5 VCC + 0.5
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
注意：
1.应力大于那些在上市
绝对最大额定值可能
造成永久性伤害
装置。这是一个值仅为
该装置的功能操作
这些或以上的任何其他条件
在操作这些节表示
本规范的系统蒸发散是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能
影响可靠性。
工作范围
范围
广告
产业
环境温度
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
VCC
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
!
＆ QUOT ;
分钟。
2.4
2
0.3
马克斯。
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
2
5
2
5
单位
V
V
V
V
A
A
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
CC
GND
≤
V
OUT
≤
V
CC
，输出禁用
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
#
$
%
＆放大器;
'
2
-5
2
-5
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
2. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号
I
CC
I
SB
参数
VCC工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
CC
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
CC
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
CC
=最大，
CE
≥
V
CC
0.2V,
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
COM 。
IND 。
-8 NS
分钟。马克斯。
220
230
30
40
10
15
-10 NS
分钟。马克斯。
200
210
30
40
10
15
-12 NS
分钟。马克斯。
180
190
30
40
10
15
-15 NS
分钟。马克斯。
180
190
30
40
10
15
单位
mA
mA
3
I
SB
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
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IS61LV6416
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
读周期开关特性
(1)
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
分钟。
8
3
0
0
0
3
0
0
-8
马克斯。
8
8
4
4
4
4
4
-10
分钟。马克斯。
10
3
0
0
3
0
0
10
10
5
5
5
5
5
-12
分钟。马克斯。
12
3
0
0
3
0
0
12
12
6
6
6
6
6
-15
分钟。马克斯。
15
3
0
0
0
3
0
0
15
15
7
6
6
7
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
OE
到输出高阻态
t
LZOE
OE
以低Z输出
t
HZCE
t
BA
t
HZB
t
LZB
CE
到输出高阻态
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
t
LZCE
CE
以低Z输出
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平，输入脉冲电平
0至3.0V ，并在图1a中指定输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
3.未经100％测试。
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
注意事项：
1. Vcc操作范围为8 ns为3.3V + 10 ％， - 5 ％ 。
AC测试负载
319
3.3V
3.3V
319
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
图1A 。
4
图1B 。
集成电路解决方案公司
SR013-0C
