快速
1K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
特点
高速访问
-Military ：25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
- 商用：25 /35/ 55/ 100纳秒（最大）
- 商业： 20ns的7130在PLCC和TQFP
低功耗运行
—IDT7130/IDT7140SA
- 活动：
550MW （典型值）。
-Standby ：
为5mW （典型值）。
—IDT7130/IDT7140LA
- 活动：
550MW （典型值）。
-Standby ：
为1mW （典型值）。
MASTER IDT7130轻松扩展数据总线宽度
用从动IDT7140 16或更多的比特
片上端口仲裁逻辑（ IDT7130只）
忙
对IDT7130输出标志;
忙
输入的IDT7140
中断标志的端口到端口的通信
从任何一个端口完全异步操作
电池备份操作-2V数据保留（ LA只）
TTL兼容， 5V单
±10%
电源
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
标准军事绘图＃ 5962-86875
工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用
能，测试军事电气规范
描述
该IDT7130 / IDT7140是高速1K ×8双端口
静态RAM 。的IDT7130被设计为用作
独立的8位双端口RAM或作为"MASTER"双核
口RAM与IDT7140 "SLAVE"双端口在一起
16位或更多的字宽度的系统。采用IDT MAS-
在16个或更多的位TER /从双口RAM的方法
存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
这两款器件提供另行两个独立的端口
速率控制，地址和I / O引脚，允许独立
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。自动断电功能，通过控制
CE
时，可允许在芯片上的电路的每个端口的一个非常进入
低待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在仅550MW操作
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个双端口通常consum-
从2V电池荷兰国际集团200μW 。
该IDT7130 / IDT7140设备均采用48引脚
sidebraze或塑料DIP封装，低成本航空公司，或扁平封装， 52引脚PLCC ，
和64引脚TQFP和STQFP 。军工级产品
制造符合MIL-的最新版本
STD- 883 ， B级，因此非常适合于军事温
perature应用要求苛刻的per-的最高水平
性能和可靠性。
功能框图
OE
L
CE
L
R/
W
L
OE
R
R/
W
R
CE
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
7R
忙
L
(1,2)
忙
R
地址
解码器
10
(1,2)
A
9L
A
0L
内存
ARRAY
地址
解码器
A
9R
A
0R
10
注意事项：
1. IDT7130 （ MASTER ） ：
忙
开放
漏输出，需要上拉
电阻270Ω的。
IDT7140 （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.开漏输出：需要上拉
电阻270Ω的。
CE
L
OE
L
R/
W
L
仲裁
和
打断
逻辑
CE
R
OE
R
R/
W
R
INT
L
(2)
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
INT
R
2689 DRW 01
(2)
军用和商用温度范围
1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2689/7
6.01
1
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
军用和商用温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2)
R/
忙
L
R/
INT
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
OE
L
忙
R
INT
R
7 6
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
5 4
3 2
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
I / O
5R
I / O
4R
I / O
3R
I / O
2R
I / O
1R
I / O
0R
2689 DRW 02
OE
R
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
R/
R/
W
L
1
48
2
47
3
46
4
45
5
44
6
43
7
42
8
IDT7130/
41
9
IDT7140
40
10
P48-1
39
＆放大器;
11
C48-2
38
12
37
DIP
13
36
顶部
14
意见
(3)
35
15
34
16
33
17
32
18
31
19
30
20
29
21
28
22
27
23
26
24
25
CE
R
W
R
W
L
INT
L
CE
R
OE
L
CE
L
INT
R
V
CC
W
R
指数
N / C
N / C
A
0L
V
CC
忙
L
忙
R
CE
L
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
2689 DRW 04
IDT7130/40
J52-1
52引脚PLCC
顶视图
(3)
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I / O
7L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
INT
R
忙
R
忙
L
忙
L
INT
L
INT
R
V
CC
V
CC
CE
R
忙
R
W
R
CE
L
W
L
W
R
W
L
INT
L
V
CC
CE
L
CE
R
OE
R
OE
L
A
0L
N / C
N / C
N / C
R/
R/
R/
指数
指数
6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
4 3
2
1
48 47 46 45 44 43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
I / O
7R
I / O
6R
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
R/
N / C
N / C
N / C
I / O
6R
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
IDT7130/40
L48-1
＆放大器;
F48-1
48引脚LCC / FLATPACK
顶视图
(3)
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
17
32
18
31
19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
IDT7130/40
PP64-1 & PN64-1
64引脚STQFP
64引脚TQFP
顶视图
(3)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.01
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
GND
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
2689 DRW 03
2689 DRW 05
2
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
军用和商用温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
广告
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
V
TERM
(2)
端电压
关于
GND
操作
T
A
温度
温度
T
BIAS
在偏置
存储
T
英镑
温度
I
OUT
DC输出
当前
推荐
直流工作条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2689 TBL 02
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
2689 TBL 01
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
该器件在这些或任何其它的条件和功能操作
以上这些表明，在业务部门的规格是不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2. VTERM不得超过VCC + 0.5的循环时间的25％以上
或为10ns最大，并且被限制为< 20毫安为VTERM > Vcc的时期
+ 0.5V.
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
军事
广告
环境
温度
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
GND
0V
0V
V
CC
5.0V
±
10%
5.0V
±
10%
2689 TBL 03
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7130SA
符号
|l
Ll
|
|l
LO
|
V
OL
V
OL
V
OH
参数
输入漏
当前
(1)
输出漏
当前
(1)
输出低电压
(l/O0-l/O
7
)
开漏输出
低电压（
忙
,
INT
)
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V,
V
IN
= 0V至V
CCIN
= GND到V
CC
V
CC
= 5.5V,
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
C
l
OL
= 4毫安
l
OL
= 16毫安
l
OL
= 16毫安
l
OH
= -4mA
7140SA
分钟。
马克斯。
—
—
—
—
2.4
10
10
0.4
0.5
—
7130LA
7140LA
马克斯。
马克斯。
—
—
—
—
2.4
5
5
0.4
0.5
—
单位
A
A
V
V
V
2689 TBL 04
注意：
1.在Vcc
＆ LT ;
2.0V泄漏是不确定的。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
(3)
Sy
mbol
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
IN
= 3DV
MAX 。 UNIT
9
pF
10
pF
2689 TBL 05
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和
输出信号转换为0V至3V或3V至0V 。
3. 11pF最大。其他包。
6.01
3
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
军用和商用温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1,6)
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
7130X20
(2)
7130X25
(3)
7130X35 7130X55 7130X100
7140X25
(3)
7140X35 7140X55 7140X100
典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。典型值。马克斯。单位
—
— 110 280
—
— 110 220
110 250 110 220
110 200 110 170
—
—
30
30
—
—
65
65
—
—
1.0
0.2
—
—
60
60
—
—
65
45
—
—
165
125
—
—
15
5
—
—
155
115
30
30
30
30
65
65
65
65
1.0
0.2
1.0
0.2
60
60
60
60
80
60
65
45
160
125
150
115
30
10
15
5
155
115
145
105
110 230
110 170
110 165
110 120
25
25
25
25
50
50
50
50
1.0
0.2
1.0
0.2
45
45
45
45
80
60
65
45
150
115
125
90
30
10
15
4
145
105
110
85
110
110
110
110
20
20
20
20
190
140
155
110
65
45
65
35
110
110
110
110
20
20
20
20
40
40
40
40
1.0
0.2
1.0
0.2
40
40
40
40
190
140
155
110
65
45
55
35
125
90
110
75
30
10
15
4
110
80
95
70
mA
符号
I
CC
参数
工作动态
电流（两个端口均
活动）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
测试条件
VERSION
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
米尔。
米尔。
米尔。
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出打开，
f = f
最大
(4)
I
SB1
CE
L
和
CE
R
= V
IH
,
f = f
最大
(4)
mA
I
SB2
SA
LA
有源端口输出COM'L 。 SA
LA
开放式中，f = F
最大
(4)
CE
＆ QUOT ;
A
＆ QUOT ;
=
V
IL
和
CE
＆ QUOT ;
B
＆ QUOT ;
=
V
IH
(7)
40 125
40 90
40 110
40 75
1.0
0.2
1.0
0.2
30
10
15
4
mA
I
SB3
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
-0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或
V
IN
< 0.2V ， F = 0
(5)
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
SA
LA
COM'L 。 SA
LA
米尔。
米尔。
mA
I
SB4
CE
＆ QUOT ;
A
＆ QUOT ;
＆ LT ;
0.2V和
CE
＆ QUOT ;
B
＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
-0.2V
(7)
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
有源端口输出
开放式中，f = F
最大
(4)
40 110
40 85
40 100
40 70
mA
注意事项：
2689 TBL 06
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
2. Com'l只， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。 PLCC和TQFP封装。
3.不适用于DIP封装。
4.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
5， F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
6. VCC = 5V ，T
A
= + 25°C的典型值，而不是生产测试。 VCC
DC
= 100 mA（典型值）
7.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
数据保持特性
（仅LA版）
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR(3)
t
R(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据
保留时间
操作恢复
时间
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是保证，但未经生产测试。
2689 TBL 07
测试条件
米尔。
Com'l 。
lDT7130LA/IDT7140LA
分钟。
典型值。
(1)
马克斯。
2.0
—
100
100
—
—
—
4000
1500
—
—
—
—
0
t
RC
(2)
单位
V
A
A
ns
ns
V
CC
= 2.0V,
CE
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
6.01
4
IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
军用和商用温度范围
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
V
DR
≥
2.0V
4.5V
t
R
CE
V
DR
V
IH
V
IH
2692 DRW 06
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1 ，图2和3
2689 TBL 08
5V
1250
数据
OUT
775
30pF*
（ *为100pF的55
100ns的版本）
数据
OUT
775
5V
1250
5pF*
图1.输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
LZ
, t
WZ
和叔
OW
)
*包括范围和夹具
5V
270
忙
or
INT
30pF*
*
100pF的55和100纳秒版本
2689 DRW 07
网络连接gure 3 。
忙
和
INT
AC输出负载测试
6.01
5
