PD -97410
IRFH5300PbF
HEXFET
功率MOSFET
V
DS
R
DS （ ON） MAX
(@V
GS
= 10V)
30
1.4
50
1.3
100
V
m
:
Q
G（典型值）
R
G（典型值）
I
D
nC
(@T
C（下）
= 25°C)
h
:
A
PQFN 5X6毫米
应用
的OR-ing MOSFET的12V （典型值）总线浪涌电流
电池供电的直流电动机逆变器MOSFET
特点和优点
特点
好处
低R
DSON
(≤ 1.4mΩ)
低热阻的PCB （ ≤ 0.5 ° C / W ）
100 ％通过Rg测试
薄型（ ≤ 0.9毫米）
更低的传导损耗
能更好的散热
提高可靠性
结果增加了功率密度
工业标准引脚
多厂商兼容性
容易制造
兼容现有的表面贴装技术
环境友好
不含铅，无溴，无卤素RoHS标准
MSL1 ，工业资质
提高可靠性
订购型号
IRFH5300TRPBF
IRFH5300TR2PBF
套餐类型
PQFN 5× 6毫米
PQFN 5× 6毫米
标准包装
形式
QUANTITY
磁带和卷轴
4000
磁带和卷轴
400
记
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C（下）
= 25°C
I
D
@ T
C（下）
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@ T
C（下）
= 25°C
T
J
T
英镑
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
马克斯。
30
± 20
40
32
100
100
400
3.6
250
单位
V
g
g
c
h
h
A
W
W / ℃，
°C
线性降额因子
工作结
存储温度范围
g
0.029
-55到+ 150
笔记
通过
是第8页
www.irf.com
1
9/17/09
IRFH5300PbF
1000
顶部
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.9V
2.7V
顶部
底部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.9V
2.7V
100
10
2.7V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
2.7V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 150℃
10
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
2.0
图2 。
典型的输出特性
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ID = 50A
100
VGS = 10V
1.5
TJ = 150℃
10
1
TJ = 25°C
1.0
0.1
VDS = 15V
≤
在60μs脉冲宽度
0.01
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
TJ ，结温（ ° C）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
10000
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
12
10
8
6
4
2
0
ID = 50A
VDS = 24V
VDS = 15V
C，电容（pF ）
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
100
0
40
80
120
160
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图6 。
典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压
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