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数据表No.PD60203
IPS022G
DUAL充分保护功率MOSFET开关
特点
过温关闭
过流关断
有源钳位
低电流&逻辑电平输入
E.S.D保护
产品概述
R
DS ( ON)
V
I
关闭
T
on
/T
关闭
150m
(最大)
50V
5A
1.5s
描述
该IPS022G得到充分保护的双低侧智能
分别为功率MOSFET 。它们的特点是过度
当前,超温,ESD保护和漏电
以源活动clamp.These器件结合了
HEXFET功率MOSFET和栅极驱动器。他们
在提供所需的充分的保护,可靠性高
恶劣环境。该驱动程序允许短路开关
荷兰国际集团和时代提供了有效的转向保护
断功率MOSFET时的温度EX-
ceeds 165
o
C或当漏极电流达到5A 。
这些设备重新启动一次的输入进行循环。该
雪崩能力由显著增强
有源钳位,覆盖最感性负载
demagnetizations 。
8引脚SOIC
IPS022G
(双)
典型连接
负载
的R系列
(如果需要的话)
Q
D
IN
控制
S
S
逻辑信号
(参见导致分配正确的引脚配置)
www.irf.com
1
IPS022G
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限,可能会损坏设备。所有电压参数
是参照源铅。 ( T环境= 25
o
C除非另有说明) 。 PCB安装使用标准的足迹
70打印
m
铜的厚度。
符号参数
VDS
VIN
IIN,最大
ISD
续。
最大漏极至源极电压
最大输入电压
最大电流
二极管最大。连续电流
(1)
(
LSD的MOSFET , RTH = 125
o
C / W )
ISD
脉冲
二极管最大。脉冲电流
(1)(为EA 。场效应管)
Pd
最大功率耗散
(1)
(
钯的MOSFET , RTH = 125
o
C / W )
ESD1
ESD2
牛逼STOR 。
TJ最大。
静电放电电压
(人体)
静电放电电压
(机器型号)
马克斯。储存温度
最大。结温
分钟。
-0.3
-10
马克斯。
47
7
+10
单位
V
mA
测试条件
1.4
10
A
-55
-40
1
4
0.5
150
+150
W
C = 100pF的, R = 1500Ω ,
kV
o
C = 200pF的, R = 0Ω , L = 10μH
C
热特性
符号参数
Rth1
与标准的足迹热阻
( 2 MOS上)
( 2的MOSFET上)
Rth2
与标准的足迹热阻
( 1 MOS上)
( 1 MOSFET上)
Rth3
与1"方占用热阻
( 2 MOS上)
( 2的MOSFET上)
分钟。
典型值。
100
127
60
马克斯。单位测试条件
o
C / W
( 1 )限制受结温(脉冲电流还受内部布线)
2
www.irf.com
IPS022G
推荐工作条件
这些值给出了一个快速的设计。对于这些条件之外的操作,请参考应用笔记。
符号参数
VDS (最大)连续漏极至源极电压
VIH
高电平输入电压
VIL
低电平输入电压
我的ds
连续漏电流
( T环境= 85
o
C, IN = 5V , RTH = 100
o
C / W , TJ = 85
o
C)
串联电阻推荐使用IN引脚
的Tr中(最大)最大推荐的上升时间为IN信号(参见图2)
FR-电流Isc
(2)
马克斯。频率短路状态(VCC = 14V )
分钟。
4
0
0.5
0
马克斯。
35
6
0.5
1
5
1
1
单位
V
A
k
S
千赫
静态电气特性
标准尺寸70
m
铜的厚度。 ( TJ = 25
o
C除非另有规定编)
符号参数
RDS ( ON)
通态电阻TJ = 25
o
C
TJ = 150
o
C
IDSS 1
漏极至源极漏电流
IDSS 2
漏极至源极漏电流
V
CLAMP 1
漏源电压钳1
V
CLAMP 2
漏源电压钳2
V在
在源钳位电压
V TH
在阈值电压
IIN, -on
ON状态,正电流
IIN, -off
OFF状态,正向电流
分钟。
100
0
0
48
50
7
1
25
50
典型值。
130
220
0.01
0.1
54
56
8
1.5
90
130
马克斯。单位测试条件
150
280
25
50
56
60
9.5
2
200
250
m
A
VIN = 5V ,IDS = 1A
VCC = 14V , TJ = 25
o
C
VCC = 40V , TJ = 25
o
C
ID = 20mA下
(见图3和4 )
ID = Ishutdown
(见图3和4 )
IIN = 1毫安
ID = 50mA时VDS = 14V
VIN = 5V
VIN = 5V
过电流触发
V
A
开关电气特性
?符号
参数
Tr
TRF
花花公子
Tf
q对于
导通延迟时间
上升时间
时间到130 %的最终RDS(ON)
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
VCC = 14V ,电阻性负载= 10Ω , Rinput = 50Ω , 100
s
脉冲,T
j
= 25
o
℃(除非另有规定) 。
分钟。
0.15
0.4
2
0.8
0.5
典型值。马克斯。单位测试条件
0.5
0.9
6
2
1.3
3.3
1
2
12
3.5
2.5
见图2
s
见图2
nC
VIN = 5V
(2)操作在较高的开关频率是可能的。见APPL 。注释。
www.irf.com
3
IPS022G
保护特性
符号参数
吨SD
ISD
V
RESET
TRESET
EOI_OT
在温度阈值
过电流阈值
保护复位阈值
时间复位保护
短路能源(参见应用笔记)
分钟。
4
1.5
2
典型值。
165
5.5
2.3
10
400
马克斯。单位测试条件
7
3
40
o
C
A
V
s
J
参见图。 1
参见图。 1
VIN = 0V , TJ = 25
o
C
VCC = 14V
功能框图
所有值都是典型
47 V
1000
200 k
IN
8.1 V
80
A
S
R
Q
Q
我SENSE
牛逼> 165℃
我> Isd的
来源
铅作业
D1
D1
D2 D2
1
S1
In1
S2输入2
8引脚SOIC
(双)
IPS022G
产品型号
4
www.irf.com
IPS022G
VIN
5V
0V
VIN
10 %
IDS
我关机
ISD
吨< 重置
吨> 重置
90 %
TR-在
90 %
IDS
T
TSD
(165 °c)
10 %
TD上
tr
牛逼关闭
TD关闭
tf
VDS
图1 - 时序图
图2 - 上升时间&切换时间定义
牛逼夹
VIN
REM: V负载为负
退磁过程
L
R
D
IN
S
V负载
+
14 V
-
IDS
VDS夹
VIN
( Vcc的)
VDS
IDS
VDS
5v
0v
(见APPL 。注意评价的功耗)
图3 - 有源钳位波形
图4 - 有源钳位电路的测试
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5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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