V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT
高速IGBT
IXSH / IXSM 25 N100
1000 V
IXSH / IXSM 25 N100A 1000 V
I
C25
50 A
50 A
V
CE （ SAT ）
3.5 V
4.0 V
短路SOA能力
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
g
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 4.7
钳位感性负载， L = 30
H
V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.6 V
CES
, T
J
= 125°C
R
G
= 33
,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
50
25
100
I
CM
= 50
@ 0.8 V
CES
10
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
s
AD TO- 247 （ IXSH ）
G
C
E
TO- 204 AE （ IXSM ）
C
W
°C
°C
°C
G =门，
E =发射器，
C =收藏家，
TAB =收藏家
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
的TO- 204 = 18克， TO-247 = 6
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8
250
1
±100
25N100
25N100A
3.5
4.0
V
V
A
mA
nA
V
V
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
切换速度快下降时间
高达20千赫
q
q
q
q
q
q
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 3毫安， V
GE
= 0 V
= 2.5毫安， V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
应用
交流电机调速
不间断电源（ UPS ）
焊接
q
q
q
q
q
优势
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
高功率密度
IXYS公司。版权所有。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
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IXSH 25N100
IXSM 25N100
IXSH 25N100A IXSM 25N100A
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
10
17
140
2850
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
210
50
112
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
备注：开关时间
可能增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
=
125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100
H
V
CE
= 0.8 V
CES
,
R
G
= 4.7
备注：开关时间
可能增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
25N100
25N100A
25N100
25N100A
25N100
25N100A
25N100
25N100A
28
50
70
580
150
1200
800
10
8
70
580
4.2
200
1500
1000
15
11
550
3000
1500
130
40
75
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.63 K / W
0.25
K / W
TO- 204AE大纲
1 - 门
2 =收藏家
3 =发射器
TAB =收藏家
的TO- 247的AD概要
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
1 - 门
2 - 发射极
案例 - 集电极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS公司
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IXYS半导体有限公司
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆
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IXYS MOSFET和IGBT被包含在下列USpatents之一： 4835592 4881108 5017508 5049961 5187117 5486715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXSH 25N100
IXSM 25N100
IXSH 25N100A IXSM 25N100A
图。 1饱和特性
50
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
图。 2
180
160
140
T
J
= 25°C
输出CHARACTERSTICS
13V 11V
40
V
GE
=15V
I
C
- 安培
I
C
- 安培
120
100
80
60
40
20
30
20
9V
13V
11V
10
7V
9V
7V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10 12
14
16
18
20
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图。 3集电极 - 发射极电压
与栅极 - 发射极电压
10
9
8
7
T
J
= 25°C
图。 4
1.6
V
GE
= 15V
温度依赖性
输出饱和电压
I
C
= 50A
6
5
4
3
2
1
0
8
9
10
11
12
13
V
CE （ SAT ）
- 归
1.4
1.2
I
C
= 25A
V
CE
- 伏特
I
C
= 50A
I
C
= 25A
I
C
= 12.5A
1.0
0.8
0.6
-50
I
C
= 12.5A
14
15
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
GE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图。 5输入导纳
50
V
CE
= 10V
1.3
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
40
BV / V
GE （日）
- 归
1.2
V
GE （日）
I
C
= 2.5毫安
I
C
- 安培
1.1
1.0
30
20
10
0
5
6
7
8
9
10 11
12
13
14 15
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= - 40°C
0.9
BV
CES
I
C
= 3毫安
0.8
0.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
GE
IXYS公司。版权所有。
V
- 伏特
T
J
- 摄氏度
IXYS半导体有限公司
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IXSH 25N100
IXSM 25N100
IXSH 25N100A IXSM 25N100A
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
1500
T
J
= 125°C
的开启，关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
20
1500
T
J
= 125°C
10
I
C
= 25A
1200
R
G
= 10
18
16
9
8
6
5
4
3
2
1
0
7
1200
t
fi
- 纳秒
E
关闭
- 毫焦耳
900
600
300
0
t
fi
12
10
8
6
4
2
0
900
600
300
0
0
t
fi
E
关闭
E
关闭
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9栅极电荷特性曲线
15
12
V
CE
= 500V
I
C
= 25A
Fig.10
100
关断安全工作区
T
J
= 125°C
10
R
G
= 4.7
的dV / dt < 6V / NS
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
1
0.1
0.01
0
200
400
600
800
1000
Q
G
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1.000
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
- K / W
0.100
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
D =占空比
0.010
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
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E
关闭
- 毫焦耳
14
t
fi
- 纳秒
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