IL215AT/216AT/217AT
PHOTOTRANSISTOR
小尺寸
表面贴装光耦合器
特点
包装尺寸以英寸（毫米）
高电流传输比，我
F
= 1毫安
IL215AT ，20％的最低
IL216AT ，50％的最低
IL217AT ，100％的最小
隔离电压2500 VAC
RMS
电气规格类似
标准的6针接头
工业标准SOIC- 8表面
安装包
标准引线间隔， 0.05"
可在磁带和卷轴（后缀T）
（符合EIA标准RS481A ）
兼容双波峰焊，气相
和IR再溢流焊接
美国保险商实验室文件＃ E52744
（代码字母P ）
.120±.005
(3.05±.13)
.240
(6.10)
引脚1号
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 (1.27)
典型值。
.021 (.53)
阳极1
0.154 ± 0.005阴极2
C
L (3.91±.13)
NC 3
NC 4
.016 (.41)
.015±.002
(.38±.05)
.008 (.20)
40°
8
7
6
5
NC
BASE
集热器
辐射源
7°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
5 °最大。
R.010
（ 0.25 ）最高。
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
公差：
±.005
（除非另有说明）
描述
该IL215AT / 216AT / 217AT是光学耦合
对与砷化镓红外LED和一个
硅NPN光电晶体管。信号信息，
包括一个DC电平，可以由发送
设备，同时保持电高度
输入和输出之间的隔离。该IL215AT /
216AT / 217AT采用的是标准的SOIC- 8小
外形封装的表面安装，这使得
它非常适用于高密度应用
有限的空间。除了消除吞吐量
孔的要求，这个包符合
对于标准表面安装器件。
高点击率在低输入电流被设计为
低功率消耗的要求，例如
CMOS微处理器接口。
最大额定值
辐射源
峰值反向电压............................................ 6.0 V
连续正向电流............................... 60毫安
在25℃ .................................. 90 mW的功耗
从25℃ ............................ 1.2毫瓦/ °C减免线性
探测器
集电极 - 发射极击穿电压..................... 30 V
发射极 - 集电极击穿电压....................... 7 V
集电极 - 基极击穿电压........................ 70 V
功耗............................................. 150毫瓦
从25℃ ............................ 2.0毫瓦/ °C减免线性
包
在25 ° C环境总包耗散
（LED +检测器） ........................................... 280兆瓦
从25℃ ............................ 3.3毫瓦/ °C减免线性
存储温度.......................... -55 ° C至+ 150°C
工作温度...................... -55 ° C至+ 100°C
焊接时间在260℃ .................................... 10秒。
特征
(T
A
=25°C)
符号最小值。典型值。
辐射源
正向电压
反向电流
电容
探测器
击穿电压
集电极 - 发射极
发射极 - 集电极
集电极 - 发射极
暗电流
集电极 - 发射极
电容
包
直流电流传输
IL215AT
IL216AT
IL217AT
集电极 - 发射极
饱和电压
隔离测试
电压
电容，
输入到输出
性，
输入到输出
开关时间
V
F
I
R
C
O
1.0
0.1
25
MAX 。 UNIT
1.5
100
V
A
pF
条件
I
F
= 1毫安
V
R
=6.0 V
V
R
=0
I
C
=10
A
I
E
=10
A
V
CE
=10 V,
I
F
=0
V
CE
=0
I
F
= 1毫安
V
CE
=5 V
BV
首席执行官
BV
ECO
I
CEOdark
C
CE
CTR
DC
30
7
5
10
50
V
V
nA
pF
%
20
50
100
V
CE坐
V
IO
C
IO
R
IO
t
ON
,
t
关闭
2500
50
80
130
0.4
VAC
RMS
0.5
100
3.0
pF
G
s
I
C
= 0.1毫安，
I
F
= 1毫安
I
C
= 2毫安，
R
E
=100
,
V
CE
=10 V
规格如有变更。
半导体集团
4–7
10.95
图9归一化不饱和和饱和
集电极 - 发射极电流与LED电流
图10.归集电极 - 基光子
tocurrent与LED电流
100
NICB - 归ICB
100
尼斯 - 归一冰
10
1
.1
.01
.1
标准化为：
TA = 25°C
VCE = 5 V
IF = 1毫安
VCE = 5 V
VCE = 0.4 V
10
1
.1
.01
.01
标准化为：
TA = 25°C
VCE = 5 V
IF = 1毫安
1
10
IF - LED电流 - 毫安
100
.1
1
10
100
IF - LED电流 - 毫安
1000
图11.集电极基光电流与
LED电流
TA = 25°C
VCB = 9.3 V
图12.高到低传输延迟与
LED电流和负载电阻
的TPH1 - 高 - 低传播
延迟 -
s
1000
100
10
1
.1
.01
20
15
10
5
0
0
10K
4.7K
2K
ICB - 集电极基
光-μa
TA = 25°C
VCC = 5 V
VTH = 1.5 V
.1
1
10
100
1000
IF - LED电流 - 毫安
5
10
15
IF - LED电流 - 毫安
20
图13.从低到高传输延迟
相对于LED的电流和负载电阻
图14.归一化的非饱和HFE
与基极电流和温度
1.2
80
TPLH - 从低到高传播
延迟 -
s
NHFE - 归HFE
10K
60
40
20
0
0
5
10
15
IF - LED电流 - 毫安
20
70°C
50°C
1.0
0.8
0.6
0.4
1
25°C
-20°C
标准化为：
IB = 20μA
VCE = 10 V
TA = 25°C
4.7K
2K
TA = 25 ℃， VCC = 5 V ， Vth的= 1.5 V
10
100
IB - 基极电流 -
A
1000
图15.典型的开关特性
与基极电阻
（饱和运算）
100
输入：
IF = 10毫安
50脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
图16.典型的开关时间
与负载电阻
1000
输入：
500 I
F
= 10毫安
脉冲宽度= 100毫秒
占空比= 50 ％
100
50
10
5
1
切换时间（ μS ）
切换时间（ μS ）
F
T
OF
T
O
FF
10
5
T
ON
T
ON
1.0
10K
50K 100K
500K 1M
0.1
0.5 1
5
10
50 100
基极 - 发射极电阻， RBE值（Ω）
半导体集团
4–9
负载电阻RL （ KΩ ）
QQ：2881677436 复制
