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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第328页 > IXTA5N50P
高级技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTA 5N50P
IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
V
DSS
= 500 V
= 4.8 A
I
D25
R
DS （ ON）
≤
1.4
Ω
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 20
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±
30
±
40
4.8
10
5
20
250
10
89
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 263 （ IXTA ）
G
S
（ TAB ）
的TO-220 （ IXTP ）
G
S
（ TAB ）
TO- 252 （ IXTY ）
G
S
（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
最高温度标签焊接
的TO- 263封装为10秒
安装力矩
TO-220
TO-263
TO-252
(TO-220)
300
260
M
d
重量
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
4
3
0.8
g
g
g
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.0
±100
5
50
1.4
V
V
nA
μA
μA
Ω
特点
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
版权所有2005 IXYS所有权利
DS99446(08/05)
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
4.7
620
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
72
6.3
18
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 20
Ω
（外部）
18
45
16
12.6
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
4.3
5.0
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.4 K / W
(TO-220)
0.25
K / W
DIM 。
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
TO- 263 （ IXTA ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
销： 1 - 门2,4 - 漏极
3 - 来源
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
英寸
分钟。马克斯。
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
5
15
1.5
400
A
A
V
ns
L
L1
L2
L3
L4
R
TO- 220 （ IXTP ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ， -di / DT = 100 A / μs的
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
TO- 252 （ IXTY ）大纲
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
英寸
分钟。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
马克斯。
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2,4 - 漏
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40
0.51
0.64
0.89
2.54
10.42
1.02
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
销： 1 - 门
3 - 来源
2,4 - 漏
L1
L2
L3
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
图。 1.输出特性
@ 25
C
5
V
GS
=
10V
7V
4
6V
8
7
6V
10
9
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
3
I
D
- 安培
6
5
4
3
2
1
5V
2
5V
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
5
V
GS
= 10V
7V
2.8
3.2
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
S（O N）
- 归
4
2.4
2
I
D
= 5A
1.6
1.2
0.8
0.4
I
D
= 2.5A
I
D
- 安培
3
6V
2
1
5V
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
0.5 I
D25
价值与我
D
3.4
3
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
6.0
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
5.0
R
S（O N）
- 归
2.6
2.2
1.8
1.4
T
J
= 25
C
1
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.0
I
D
- 安培
4.0
3.0
2.0
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
版权所有2005 IXYS所有权利
T
C
- 摄氏
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
图。 7.输入上将ittance
7
6
5
9
8
7
T
J
= -40
C
25
C
6
5
4
3
2
1
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
125
C
图。 8.跨导
4
3
2
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
15
10
9
12
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 2.5A
I
G
= 10毫安
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
1
9
T
J
= 125
C
6
T
J
= 25
C
3
6
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
100
T
J
= 1
C
50
国际空间站
R
DS （ ON）
极限
T
C
= 25
C
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
电容 - 皮法
1000
I
D
- 安培
10
25s
1
00s
1
1
ms
DC
1
0ms
100
OSS
10
RSS
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
10
100
1000
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
V
S
- 伏特
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTA 5N50P IXTP 5N50P
IXTY 5N50P
图。 13.最大瞬态热阻
10.00
R
T H， J·C
-
C / W
1.00
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
版权所有2005 IXYS所有权利
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推荐型号
IV1205DA
IL4145A
IXGH56N60A3
IDT74FCT2533ATSO
IDT71V2579S80BG
IP80C521-1
IRKLF111-04FP
IS89C51-40PQ
IDT7140LA25L48GI
ISL5123
IRKT170-08
IDT54FCT534EB
IDT7008S25G
ICL7642BCWE
IDT72131L80P
IL215AT
IP8012
IDT54FCT22245ATQB
IXTH24N45
ISL83080EIB-T
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    IXTA5N50P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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电话：0755-83798683
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IXTA5N50P
IXYS/艾赛斯
23+
56230
TO-263
原装正品 华强现货
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
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IXTA5N50P
IXYS
2024
22500
TO-263
原装现货上海库存，欢迎查询
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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15360
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全新原装正品/质量有保证
深圳市百域芯科技有限公司
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电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
IXTA5N50P
IXYS
21+
100000
TO263/D2PAK
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电话：171-4729-9698（微信同号）
联系人：周小姐，171-4729-9698微信同号，无线联通更快捷！
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联系人：李
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
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