【高级技术信息GenX3TM600V IGBTIXGH56N60A3VCES=IC110=VCE （】,IC型号IXGH56N60A3,IXGH56N60A3 PDF资料,IXGH56N60A3经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

GenX3

TM

600V IGBT

IXGH56N60A3

V

CES

=

I

C110

=

V

CE （ SAT ）

≤

600V

56A

1.35V

超低甚小孔径终端PT IGBT最多

5 kHz开关

TO-247

符号

测试条件

T

C

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25° C到150° C，R

GE

= 1MΩ

连续

短暂

T

C

= 25 ° C（芯片功能）

T

C

= 110°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 5Ω

钳位感性负载

T

C

= 25°C

最大额定值

600

± 20

± 30

150

56

370

I

CM

= 150

V

CE

≤

0.8

V

CES

330

- 55 ... +150

150

- 40 ... +150

1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒

塑料体10秒

安装力矩

300

260

1.13/10

6

V

A

W

°C

纳米/ lb.in 。

g

特点

优化的低传导损耗

国际标准套餐

G

V

CES

V

CGR

V

GES

D

C

ES

（ TAB ）

V

创业板

I

C25

I

C110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

G =门

E =发射器

C =收藏家

TAB =收藏家

P

d

T

J

T

JM

T

英镑

T

L

T

出售

M

d

重量

优势

高功率密度

低栅极驱动要求

应用

电源逆变器

UPS

电机驱动

SMPS

PFC电路

电池充电器

焊接机

灯镇流器

浪涌电流保护电路

符号

测试条件

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

BV

CES

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

I

C

= 250μA ，V

CE

= 0V

= 250μA ，V

CE

= V

GE

T

J

= 125°C

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

600

3.0

5.0

V

50

μA

500

μA

±100 nA的

T

J

= 125°C

1.22

1.35

V

CE

= V

CES ，

V

GE

= 0V

V

CE

= 0V, V

GE

= ±20V

I

C

= 44A ，V

GE

= 15V ，注1

DS100174(08/09)

IXGH56N60A3

符号测试条件

(T

J

= 25 ° C除非另有规定编）

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

33

55

3950

220

56

140

I

C

= 44A ，V

GE

= 15V, V

CE

= 0.5

V

CES

26

52

感性负载，T

J

= 25°C

I

C

= 44A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 480V ，R

G

= 5

Ω

注2

26

42

1.00

310

315

3.75

24

42

2.00

495

415

6.75

0.21

S

pF

nC

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

ns

mJ

0.375 ° C / W

° C / W

e

TO- 247 （ IXGH ）大纲

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

乡镇卫生院

I

C

= 44A ，V

CE

= 10V ，注1

V

CE

= 25V, V

GE

= 0V ， F = 1MHz的

1

2

3

P

端子： 1 - 门

3 - 来源

2 - 漏极

标签 - 漏

DIM 。

550

6.50

感性负载，T

J

= 125°C

I

C

= 44A ，V

GE

= 15V

V

CE

= 480V ，R

G

= 5

Ω

注2

毫米

分钟。马克斯。

A

4.7

5.3

2.2

2.54

A

1

A

2

2.2

2.6

b

1.0

1.4

1.65

2.13

b

1

b

2

2.87

3.12

C

.4

.8

D

20.80 21.46

E

15.75 16.26

e

5.20

5.72

L

19.81 20.32

L1

4.50

P

3.55

3.65

Q

5.89

6.40

R

4.32

5.49

S

6.15 BSC

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

242 BSC

注意事项：

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

2.切换时间&能量损失可能会增加更高的V

CE

（钳），T

J

或R

G

.

高级技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成

"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试

条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

通过以下一种或多项美国专利： 4850072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXGH56N60A3

图。 1.输出特性

@ T

J

= 25C

90

80

70

V

GE

= 15V

13V

11V

350

300

250

V

GE

= 15V

13V

11V

图。 2.扩展的输出特性

@ T

J

= 25C

I

C

-

安培

I

C

- 安培

60

50

40

30

20

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

7V

9V

200

9V

150

100

50

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

7V

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 3.输出特性

@ T

J

= 125C

90

80

70

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

1.4

1.3

V

GE

= 15V

图。 4.依赖的V

CE （ SAT ）

on

结温

I

C

= 88A

I

C

- 安培

60

50

7V

40

30

20

10

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

5V

V

CE （ SAT ）

- 归

1.2

1.1

I

1.0

0.9

0.8

0.7

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

C

= 44A

I

C

= 22A

V

CE

- 伏特

T

J

- 摄氏

图。 5.集电极 - 发射极电压

与门极 - 发射极电压

3.2

T

J

= 25C

2.8

100

90

80

70

C

图。 6.输入导纳

I

C

-

安培

2.4

V

CE

- 伏特

I

2.0

= 88A

44A

22A

60

50

40

30

20

10

T

J

= 125C

25C

- 40C

1.6

1.2

0.8

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

0

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

8.0

V

GE

- 伏特

V

GE

- 伏特

IXGH56N60A3

图。 7.跨导

70

60

50

16

14

T

J

= - 40C

25C

125C

12

10

8

6

4

2

0

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

0

20

40

60

80

100

120

140

V

CE

= 300V

I

C

= 44A

I

G

= 10毫安

图。 8.栅极电荷

g

F小号

-

SIEMENS

40

30

20

10

0

I

C

- 安培

V

GE

- 伏特

Q

G

- nanocoulombs

图。 9.电容

10,000

160

140

图。 10.反向偏置安全工作区

电容 - 皮法

资本投资者入境计划

1,000

120

卓越中心

I

C

- 安培

100

80

60

40

T

J

= 125C

R

G

= 5

的dV / dt < 10V / ns的

100

f

= 1兆赫

10

0

5

10

15

20

25

CRES

20

0

100

30

35

40

200

300

400

500

600

V

CE

- 伏特

V

CE

- 伏特

图。 11.最大瞬态热阻抗

1.00

Z

（日） JC

- C / W

0.10

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度 - 秒

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS REF ： G_56N60A3 （ 65 ） 09年8月4日-C

IXGH56N60A3

图。 12.感应开关

能量损耗与栅极电阻

20

18

16

E

关闭

V

CE

= 480V

I

C

图。 13.感应开关

能量损失与集电极电流

8

E

on

-

18

16

14

E

关闭

V

CE

= 480V

E

on

4.5

---

7

6

----

4.0

3.5

3.0

T

J

= 125℃ ，V

GE

= 15V

R

G

= 5

,

V

GE

= 15V

E

关闭

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

14

12

10

= 88A

5

4

3

12

10

8

6

4

2

0

20

30

40

50

60

70

80

90

T

J

= 25C

T

J

= 125C

E

on

- 毫焦耳

E

on

- 毫焦耳

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

I

C

= 44A

8

6

4

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

2

1

0

R

G

- 欧姆

I

C

- 安培

图。 14.感应开关

能量损失与结温

18

16

14

E

关闭

V

CE

= 480V

E

on

6.4

540

520

500

图。 15.感应开启关闭

开关时间与栅极电阻

1100

----

I

C

R

G

= 5

,

V

GE

= 15V

= 88A

5.6

4.8

t

fi

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

T

J

= 125°C ，V

GE

= 15V

1000

900

800

t

D（关闭）

-

纳秒

t

F I

-

纳秒

E

on

- 毫焦耳

E

关闭

- 毫焦耳

12

10

8

6

4

2

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

4.0

3.2

2.4

1.6

0.8

0.0

125

480

460

440

420

400

380

5

10

15

20

25

30

35

40

45

50

I

C

= 88A

700

I

= 44A

600

500

400

300

I

C

= 44A

C

T

J

- 摄氏

R

G

- 欧姆

图。 16.感应开启关闭

开关时间与集电极电流

700

600

550

520

图。 17.感应开启关闭

开关时间与结温

550

t

fi

600

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

t

D（关闭）

- 纳秒

t

fi

V

CE

= 480V

t

D（关闭）

- - - -

R

G

= 5 , V

GE

= 15V

R

G

= 5 , V

GE

= 15V

500

450

400

t

F I

- 纳秒

500

T

J

= 125C

400

440

t

F I

- 纳秒

500

450

400

350

300

t

D（关闭）

- 纳秒

I

C

= 44A

I

C

= 88A

360

350

300

250

200

125

300

T

J

= 25C

280

200

20

30

40

50

60

70

80

90

200

250

25

35

45

55

65

75

85

95

105

115

I

C

- 安培

T

J

- 摄氏