初步
集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
F
EATURES
（ 1 ）差分HSTL输出
晶体振荡器接口， 18pF之并联谐振晶体
（为24.5MHz - 34MHz ）
输出频率范围： 245MHz - 340MHz的
VCO范围： 490MHz - 680MHz的
RMS相位抖动@为250MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875Hz - 20MHz的） ： 0.33ps （典型值）
3.3V或2.5V工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS842023I是以太网时钟
发生器和HiPerClocks的成员
TM
HiPerClockS
家庭由ICS的高性能设备。
对于以太网的应用，一个25MHz的晶体
用于产生250MHz的。该ICS842023I
使用ICS “第三代低相位噪声VCO技
术，可以达到<1ps 毫秒相位抖动，很容易
会议以太网络的抖动要求。该ICS842023I
封装在一个小型8引脚TSSOP ，使其成为理想
在有限的电路板空间系统。
ICS
C
OMMON
C
ONFIGURATION
T
ABLE
- 1千兆é
THERNET
输入
晶体频率（MHz ）
25
M
20
N
2
乘法
值M / N
10
输出频率
（兆赫）
250
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDA
GND
XTAL_OUT
XTAL_IN
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
nQ0
OE
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
相
探测器
VCO
490MHz - 680MHz的
N = ÷2
（FI固定的）
Q0
nQ0
ICS842023I
8引脚TSSOP
4.40毫米X 3.0毫米X 0.925毫米
包体
G封装
顶视图
M = ÷20
（FI固定的）
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
842023AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
REV 。 B 2005年6月14日
1
初步
集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
TYPE
动力
动力
输入
输入
上拉
描述
模拟电源引脚。
电源接地。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入，
XTAL_OUT是输出。
输出使能引脚。高电平时， Q0 / nQ0输出有效。
当低电平时， Q0 / nQ0输出处于高阻抗状态。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分时钟输出。 HSTL接口电平。
核心供电引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3, 4
5
6, 7
8
名字
V
DDA
GND
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
OE
nQ0 ， Q0
V
DD
产量
动力
注意：
上拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
最大
单位
pF
kΩ
842023AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
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初步
集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
50mA
100mA
101.7 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
待定
待定
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
待定
待定
最大
2.625
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE
OE
测试条件
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
-150
最低
2
1. 7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
单位
V
V
V
V
A
A
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3
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集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
测试条件
最低
1
0
40
0.4
典型
最大
1.8
0.6
60
1.8
单位
V
V
%
V
T
ABLE
3D 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
OX
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出电压交叉;注2：
V
摇摆
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
Ω
到GND 。
注2 ：定义的相对于输出电压摆幅在给定的条件。
T
ABLE
3E 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
OX
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出电压交叉;注2：
测试条件
最低
1
0
40
0.6
典型
最大
1.4
0.4
60
1.4
单位
V
V
%
V
V
摇摆
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
Ω
到GND 。
注2 ：定义的相对于输出电压摆幅在给定的条件。
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
24.5
测试条件
最低
典型
基本
34
50
7
1
兆赫
Ω
pF
mW
最大
单位
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
@ 250MHz的积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
245
0.33
300
50
典型
最大
340
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参阅本节中的相位噪声图。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
@ 250MHz的积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
245
0.4
325
50
典型
最大
340
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参阅本节中的相位噪声图。
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电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V ± 5%
2.5V ± 5%
V
DD,
V
DDA
Qx
范围
V
DD,
V
DDA
Qx
范围
HSTL
nQx
HSTL
nQx
GND
GND
0V
0V
HSTL 3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
HSTL 2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
相位噪声图
nQ0
噪声功率
Q0
t
PW
相位噪声面膜
t
期
ODC =
f
1
偏移频率
f
2
t
PW
t
期
x 100%
RMS抖动=面积根据假面相位噪声叠加
RMS P
HASE
J
伊特尔
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
80%
时钟
输出
80%
V
SW I N G -
20%
t
R
t
F
20%
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
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集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
F
EATURES
（ 1 ）差分HSTL输出
晶体振荡器接口， 18pF之并联谐振晶体
（为24.5MHz - 34MHz ）
输出频率范围： 245MHz - 340MHz的
VCO范围： 490MHz - 680MHz的
RMS相位抖动@为250MHz ，使用25MHz晶体
（ 1.875Hz - 20MHz的） ： 0.33ps （典型值）
3.3V或2.5V工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS842023I是以太网时钟
发生器和HiPerClocks的成员
TM
HiPerClockS
家庭由ICS的高性能设备。
对于以太网的应用，一个25MHz的晶体
用于产生250MHz的。该ICS842023I
使用ICS “第三代低相位噪声VCO技
术，可以达到<1ps 毫秒相位抖动，很容易
会议以太网络的抖动要求。该ICS842023I
封装在一个小型8引脚TSSOP ，使其成为理想
在有限的电路板空间系统。
ICS
C
OMMON
C
ONFIGURATION
T
ABLE
- 1千兆é
THERNET
输入
晶体频率（MHz ）
25
M
20
N
2
乘法
值M / N
10
输出频率
（兆赫）
250
B
LOCK
D
IAGRAM
OE
上拉
P
IN
A
SSIGNMENT
V
DDA
GND
XTAL_OUT
XTAL_IN
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
Q0
nQ0
OE
XTAL_IN
OSC
XTAL_OUT
相
探测器
VCO
490MHz - 680MHz的
N = ÷2
（FI固定的）
Q0
nQ0
ICS842023I
8引脚TSSOP
4.40毫米X 3.0毫米X 0.925毫米
包体
G封装
顶视图
M = ÷20
（FI固定的）
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
842023AGI
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1
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集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
TYPE
动力
动力
输入
输入
上拉
描述
模拟电源引脚。
电源接地。
晶体振荡器接口。 XTAL_IN是输入，
XTAL_OUT是输出。
输出使能引脚。高电平时， Q0 / nQ0输出有效。
当低电平时， Q0 / nQ0输出处于高阻抗状态。
LVCMOS / LVTTL接口电平。
差分时钟输出。 HSTL接口电平。
核心供电引脚。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1
2
3, 4
5
6, 7
8
名字
V
DDA
GND
XTAL_OUT ，
XTAL_IN
OE
nQ0 ， Q0
V
DD
产量
动力
注意：
上拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
最大
单位
pF
kΩ
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2
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电路
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F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
50mA
100mA
101.7 ℃/ W（ 0 MPS ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
待定
待定
最大
3.465
3.465
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3B 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDA
I
DD
I
DDA
参数
核心供电电压
模拟电源电压
电源电流
模拟电源电流
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
待定
待定
最大
2.625
2.625
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
3C 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V±5%
OR
2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE
OE
测试条件
3.3V
2.5V
3.3V
2.5V
V
DD
= V
IN
= 3.465V或2.625V
V
DD
= 3.465V或2.625V ，V
IN
= 0V
-150
最低
2
1. 7
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
0.7
5
单位
V
V
V
V
A
A
842023AGI
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3
REV 。 B 2005年6月14日
初步
集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
测试条件
最低
1
0
40
0.4
典型
最大
1.8
0.6
60
1.8
单位
V
V
%
V
T
ABLE
3D 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
OX
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出电压交叉;注2：
V
摇摆
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
Ω
到GND 。
注2 ：定义的相对于输出电压摆幅在给定的条件。
T
ABLE
3E 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
V
OX
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出电压交叉;注2：
测试条件
最低
1
0
40
0.6
典型
最大
1.4
0.4
60
1.4
单位
V
V
%
V
V
摇摆
峰至峰输出电压摆幅
注1 ：输出端接50
Ω
到GND 。
注2 ：定义的相对于输出电压摆幅在给定的条件。
T
ABLE
4. C
RYSTAL
C
极特
参数
振荡模式
频率
等效串联电阻（ESR ）
旁路电容
驱动电平
24.5
测试条件
最低
典型
基本
34
50
7
1
兆赫
Ω
pF
mW
最大
单位
T
ABLE
5A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
@ 250MHz的积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
245
0.33
300
50
典型
最大
340
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参阅本节中的相位噪声图。
T
ABLE
5B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= V
DDA
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
f
OUT
参数
输出频率
RMS相位抖动（随机） ;
注1
输出上升/下降时间
测试条件
@ 250MHz的积分范围：
1.875MHz - 20MHz的
20 ％至80％
最低
245
0.4
325
50
典型
最大
340
单位
兆赫
ps
ps
%
t
JIT （ φ ）
t
R
/ t
F
ODC
输出占空比
注1 ：请参阅本节中的相位噪声图。
842023AGI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。 B 2005年6月14日
初步
集成
电路
系统公司
ICS842023I
F
EMTO
C
锁
C
RYSTAL
-
TO
- HSTL
C
LOCK
G
enerator
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V ± 5%
2.5V ± 5%
V
DD,
V
DDA
Qx
范围
V
DD,
V
DDA
Qx
范围
HSTL
nQx
HSTL
nQx
GND
GND
0V
0V
HSTL 3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
HSTL 2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
相位噪声图
nQ0
噪声功率
Q0
t
PW
相位噪声面膜
t
期
ODC =
f
1
偏移频率
f
2
t
PW
t
期
x 100%
RMS抖动=面积根据假面相位噪声叠加
RMS P
HASE
J
伊特尔
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
80%
时钟
输出
80%
V
SW I N G -
20%
t
R
t
F
20%
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
842023AGI
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5
REV 。 B 2005年6月14日
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