初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
16个LVCMOS / LVTTL输出
1 LVCMOS / LVTTL时钟输入
CLK可以接受以下的输入电平： LVCMOS ， LVTTL
最大输出频率： 200MHz的
双输出使能输入便于1到16或1到8个输入
输出模式
所有输入可承受5V
输出偏斜： 250PS （典型值）
部件到部件的偏斜： 700ps （典型值）
全3.3V和2.5V或3.3V混合核心/ 2.5V工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8343I -01是一种低歪斜， 1至16
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器和成员
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高性能的
从ICS时钟解决方案。该ICS8343I -01
单端时钟输入接受LVCMOS或
LVTTL输入电平。该ICS8343I -01工作电压为3.3V ，
2.5V和3.3V混合输入和2.5V电源模式在
商业级温度范围。保证出力和兼职
对部分偏移特性使ICS8343I -01非常适合
这些时钟分配的应用要求明确
性能和可重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
VDD1
V
DD1
P
IN
A
SSIGNMENT
OE1
OE2
Q15
Q14
Q13
DD
VDD
V
VDD2
V
DD2
Q2
CLK
CLK
Q0
Q0
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
Q4
Q4
Q5
Q5
Q6
Q6
Q7
Q7
Q15
Q15
Q14
Q14
Q13
Q13
Q12
Q12
Q11
Q11
Q10
Q10
Q9
Q9
Q8
Q8
32 31 30 29 28 27 26 25
V
DD
1
V
DD
1
V
DD
1
Q3
Q4
GND
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
Q5
Q6
Q7
CLK
V
DD
Q8
Q9
Q10
ICS8343I-01
OE1
OE1
GND
GND
OE2
OE2
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Y封装
（ TOP VIEW ）
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
8343AYI-01
Q1
Q0
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
2
V
DD
2
V
DD
2
Q12
Q11
GND
GND
GND
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一个2004年6月22日
初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
动力
产量
输入
动力
产量
产量
动力
产量
描述
Q0通Q7输出电源引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
电源接地。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入/ 5V容限。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2, 3
4, 5
6, 7, 8,
17, 18, 19
9, 10, 11
12
13
14, 15, 16
20, 21
22, 23, 24
25, 26, 27
名字
V
DD1
Q3, Q4
GND
Q5, Q6, Q7
CLK
V
DD
Q8, Q9, Q10
Q11, Q12
V
DD2
Q13, Q14, Q15
Q8通Q15的输出电源引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
输出使能。在低输出力通Q8 Q15为HiZ状态。
28
OE2
输入
上拉
5V容限。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。当力低输出Q0通Q7为HiZ状态。
29
OE1
输入
上拉
5V容限。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
30, 31, 32
Q0, Q1, Q2
产量
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DD1
, V
DD2
= 3.3V
5
V
DD
, V
DD1
, V
DD2
= 3.465V
V
DD1
, V
DD2
= 2.63V
测试条件
最低
典型
4
11
9
51
51
7
12
最大
单位
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
输入
OE1
0
1
0
1
OE2
0
0
1
1
成为HiZ
活跃
成为HiZ
活跃
输出
Q0:Q7
Q8:Q15
成为HiZ
成为HiZ
活跃
活跃
注： OE1和OE2能够承受5V电压。
8343AYI-01
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2
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初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDX
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDX
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压;注1
电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
35
14
单位
V
V
mA
mA
I
DDX
输出电源电流;注2：
注1 ： V
DDX
表示V
DD1
和V
DD2
.
注2 ：我
DDX
表示I的总和
DD1
我
DD2
.
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OZL
I
OZH
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
2.6
0.5
5
5
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
A
A
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出三态电流低
三态输出电流高
注1 ：输出端接50
到V
DDX
/ 2 。参见参数测量信息， 3.3V输出负载测试电路。
8343AYI-01
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3
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初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
35
14
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDX
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压;注1
电源电流
I
DDX
输出电源电流;注2：
注1 ： V
DDX
表示V
DD1
和V
DD2
.
注2 ：我
DDX
表示I的总和
DD1
我
DD2
.
T
ABLE
4D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OZL
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
1.8
0.5
5
5
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
A
A
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出三态电流低
三态输出电流高
I
OZH
注1 ：输出端接50
到V
DDX
/ 2 。参见参数测量信息，
3.3V / 2.5输出负载测试电路。
8343AYI-01
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4
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初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
34
13
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDX
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压;注1
电源电流
I
DDX
输出电源电流;注2：
注1 ： V
DDX
表示V
DD1
和V
DD2
.
注2 ：我
DDX
表示I的总和
DD1
我
DD2
.
T
ABLE
4F 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OZL
I
OZH
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= 2.625V, V
IN
= 0V
V
DD
= 2.625V, V
IN
= 0V
-150
-5
1.8
0.5
5
5
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
A
A
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出三态电流低
三态输出电流高
注1 ：输出端接50
到V
DDX
/ 2 。参见参数测量信息， 2.5V输出负载测试电路。
8343AYI-01
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5
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初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
F
EATURES
16个LVCMOS / LVTTL输出
1 LVCMOS / LVTTL时钟输入
CLK可以接受以下的输入电平： LVCMOS ， LVTTL
最大输出频率： 200MHz的
双输出使能输入便于1到16或1到8个输入
输出模式
所有输入可承受5V
输出偏斜： 250PS （典型值）
部件到部件的偏斜： 700ps （典型值）
全3.3V和2.5V或3.3V混合核心/ 2.5V工作电源
-40 ° C至85°C的工作环境温度
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS8343I -01是一种低歪斜， 1至16
LVCMOS / LVTTL扇出缓冲器和成员
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高性能的
从ICS时钟解决方案。该ICS8343I -01
单端时钟输入接受LVCMOS或
LVTTL输入电平。该ICS8343I -01工作电压为3.3V ，
2.5V和3.3V混合输入和2.5V电源模式在
商业级温度范围。保证出力和兼职
对部分偏移特性使ICS8343I -01非常适合
这些时钟分配的应用要求明确
性能和可重复性。
ICS
B
LOCK
D
IAGRAM
VDD1
V
DD1
P
IN
A
SSIGNMENT
OE1
OE2
Q15
Q14
Q13
DD
VDD
V
VDD2
V
DD2
Q2
CLK
CLK
Q0
Q0
Q1
Q1
Q2
Q2
Q3
Q3
Q4
Q4
Q5
Q5
Q6
Q6
Q7
Q7
Q15
Q15
Q14
Q14
Q13
Q13
Q12
Q12
Q11
Q11
Q10
Q10
Q9
Q9
Q8
Q8
32 31 30 29 28 27 26 25
V
DD
1
V
DD
1
V
DD
1
Q3
Q4
GND
GND
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16
Q5
Q6
Q7
CLK
V
DD
Q8
Q9
Q10
ICS8343I-01
OE1
OE1
GND
GND
OE2
OE2
32引脚LQFP
采用7mm x 7mm X 1.4毫米体封装
Y封装
（ TOP VIEW ）
本文提供的初步信息代表了原型或试生产的产物。所提到的特征是基于初始
产品特性。集成电路系统公司（ ICS）保留更改任何电路或规格，恕不另行通知。
8343AYI-01
Q1
Q0
24
23
22
21
20
19
18
17
V
DD
2
V
DD
2
V
DD
2
Q12
Q11
GND
GND
GND
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
REV 。一个2004年6月22日
初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
TYPE
动力
产量
动力
产量
输入
动力
产量
产量
动力
产量
描述
Q0通Q7输出电源引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
电源接地。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
下拉LVCMOS / LVTTL时钟输入/ 5V容限。
核心供电引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2, 3
4, 5
6, 7, 8,
17, 18, 19
9, 10, 11
12
13
14, 15, 16
20, 21
22, 23, 24
25, 26, 27
名字
V
DD1
Q3, Q4
GND
Q5, Q6, Q7
CLK
V
DD
Q8, Q9, Q10
Q11, Q12
V
DD2
Q13, Q14, Q15
Q8通Q15的输出电源引脚。
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
输出使能。在低输出力通Q8 Q15为HiZ状态。
28
OE2
输入
上拉
5V容限。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
输出使能。当力低输出Q0通Q7为HiZ状态。
29
OE1
输入
上拉
5V容限。 LVCMOS / LVTTL接口电平。
30, 31, 32
Q0, Q1, Q2
产量
LVCMOS / LVTTL时钟输出。 7
典型的输出阻抗。
注意：
上拉
和
下拉
是指内部输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
C
PD
R
上拉
R
下拉
R
OUT
参数
输入电容
功率耗散电容
（每路输出）
输入上拉电阻
输入下拉电阻
输出阻抗
V
DD
, V
DD1
, V
DD2
= 3.3V
5
V
DD
, V
DD1
, V
DD2
= 3.465V
V
DD1
, V
DD2
= 2.63V
测试条件
最低
典型
4
11
9
51
51
7
12
最大
单位
pF
pF
pF
K
K
T
ABLE
3. F
油膏
T
ABLE
输入
OE1
0
1
0
1
OE2
0
0
1
1
成为HiZ
活跃
成为HiZ
活跃
输出
Q0:Q7
Q8:Q15
成为HiZ
成为HiZ
活跃
活跃
注： OE1和OE2能够承受5V电压。
8343AYI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
2
REV 。一个2004年6月22日
初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DDX
+ 0.5V
47.9 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
4A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDX
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压;注1
电源电流
测试条件
最低
3.135
3.135
典型
3.3
3.3
最大
3.465
3.465
35
14
单位
V
V
mA
mA
I
DDX
输出电源电流;注2：
注1 ： V
DDX
表示V
DD1
和V
DD2
.
注2 ：我
DDX
表示I的总和
DD1
我
DD2
.
T
ABLE
4B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 3.3V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OZL
I
OZH
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
2.6
0.5
5
5
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
A
A
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出三态电流低
三态输出电流高
注1 ：输出端接50
到V
DDX
/ 2 。参见参数测量信息， 3.3V输出负载测试电路。
8343AYI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。一个2004年6月22日
初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
35
14
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4C 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDX
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压;注1
电源电流
I
DDX
输出电源电流;注2：
注1 ： V
DDX
表示V
DD1
和V
DD2
.
注2 ：我
DDX
表示I的总和
DD1
我
DD2
.
T
ABLE
4D 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OZL
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0V
-150
-5
1.8
0.5
5
5
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
A
A
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出三态电流低
三态输出电流高
I
OZH
注1 ：输出端接50
到V
DDX
/ 2 。参见参数测量信息，
3.3V / 2.5输出负载测试电路。
8343AYI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一个2004年6月22日
初步
集成
电路
系统公司
ICS8343I-01
L
OW
S
KEW
, 1-
TO
-16
LVCMOS / LVTTL F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
2.375
2.375
典型
2.5
2.5
最大
2.625
2.625
34
13
单位
V
V
mA
mA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号
V
DD
V
DDX
I
DD
参数
核心供电电压
输出电源电压;注1
电源电流
I
DDX
输出电源电流;注2：
注1 ： V
DDX
表示V
DD1
和V
DD2
.
注2 ：我
DDX
表示I的总和
DD1
我
DD2
.
T
ABLE
4F 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= V
DD1
= V
DD2
= 2.5V ±5％ ，T
A
= -40°
TO
85°C
符号参数
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OZL
I
OZH
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
OE1 ， OE2
CLK
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= 2.625V, V
IN
= 0V
V
DD
= 2.625V, V
IN
= 0V
-150
-5
1.8
0.5
5
5
测试条件
最低
2
2
-0.3
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.8
1.3
5
150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
A
A
输出高电压;注1
输出低电压;注1
输出三态电流低
三态输出电流高
注1 ：输出端接50
到V
DDX
/ 2 。参见参数测量信息， 2.5V输出负载测试电路。
8343AYI-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
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REV 。一个2004年6月22日
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