【PD-94021CIRLR8103VN沟道特定应用的MOSFET理想的CPU内核的DC -DC转换器】,IC型号IRLR8103V,IRLR8103V PDF资料,IRLR8103V经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD-94021C

IRLR8103V

N沟道特定应用的MOSFET

理想的CPU内核的DC -DC转换器

低传导损耗

低开关损耗

最大限度地减少并行MOSFET的大电流

应用

G

D

100% R

G

经过测试

描述

这种新设备采用了先进的HEXFET功率

MOSFET技术，实现了前所未有的

导通电阻和栅极电荷平衡的。减少

传导和开关损耗，使其非常适用于高

效率的DC - DC转换器供电的最新

代微处理器。

该IRLR8103V已经优化所有参数

这是关键中的同步降压转换器，包括

R

DS （ ON）

，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开通免疫力。

该IRLR8103V提供了一个非常低的组合

Q

sw

＆放大器;

DS （ ON）

为控制减亏

同步FET应用。

该包是专门为气相，红外，

对流，或波峰焊技术。动力

大于2W耗散可以在一个典型的

印刷电路板安装的应用程序。

D- PAK

S

器件的特性？

R

DS （ ON）

Q

G

Q

SW

Q

OSS

IRLR8103V

7.9 m

27 NC

12 NC

29nC

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极或源极电流

(V

GS

> 10V ）

漏电流脉冲

TC = 25°C

TC = 90℃

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

I

S

I

SM

IRLR8103V

30

±20

91

63

363

115

60

-55到150

91

363

单位

V

TC = 25°C

功耗

e

TC = 90℃

结&存储温度范围

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流

A

W

°C

A

热阻

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

h

eh

符号

R

θJA

R

θJC

典型值。

–––

马克斯。

50

1.09

单位

° C / W

www.irf.com

1

10/22/04

IRLR8103V

电气特性

参数

漏极至源极击穿电压

静态漏源

导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

符号最小值典型值最大值单位

BV

DSS

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

30

–––

1.0

–––

0.8

–––

6.9

7.9

–––

9.0

10.5

3.0

50

20

V

m

V

A

nA

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

d

= 15A

d

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0, T

J

= 100°C

V

GS

= ± 20V

V

GS

= 5V ，我

D

= 15A ，V

DS

= 16V

V

GS

= 5V, V

DS

＆ LT ; 100mV的

栅极 - 源极漏电流

总栅极电荷，控制用FET

总栅极电荷，同步FET

预Vth的栅源电荷

后Vth的栅源电荷

栅漏电荷

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

I

GSS

Q

G

Q

G

Q

GS1

Q

GS2

Q

GD

Q

SW

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

––– 100

––– ±100

27

23

4.7

2.0

9.7

12

29

–––

10

9

24

18

–––

3.1

–––

nC

V

DS

= 16V ，我

D

= 15A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0

V

DD

= 16V

ns

I

D

= 15A

V

GS

= 5.0V

钳位感性负载

pF

V

GS

= 16V, V

GS

=0

2672 –––

1064 –––

109

–––

源极 - 漏极评级&特点

参数

二极管的正向电压

反向恢复电荷

（与并行肖特基）

符号最小值典型值最大值单位

V

SD

Q

rr

Q

RR （S ）

–––

0.9

103

96

1.3

–––

V

nC

f

IS = 15A ，V

GS

= 0V

的di / dt = 700A / μs的

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V时，我

F

= 15A

的di / dt = 700A / μs的，（有10BQ040 ）

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V时，我

F

= 15A

d

条件

f

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

典型值=测量 - Q

OSS

的R的典型值

DS

（上）在V测

GS

= 4.5V ，Q

G

, Q

SW

和Q

OSS

测量V

GS

= 5.0V ，我

F

= 15A.

R

θ

测定在T

J

约90℃的

2

www.irf.com

IRLR8103V

1000

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

1000

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

2.7V

10

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1000

2.0

I

D

= 15A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

1.5

100

T

J

= 150

°

C

1.0

0.5

10

2.0

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRLR8103V

5000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

4000

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

6

I

D

=

15A

5

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

C，电容（pF ）

4

3000

西塞

3

2000

科斯

2

1000

1

CRSS

0

1

10

100

0

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

0

5

10

15

20

25

30

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

1000

10000

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

T

J

= 150

°

C

I

D

，漏电流（ A）

1000

10us

10

100

100us

T

J

= 25

°

C

1

10

1ms

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 150 °C

单脉冲

1

10

10ms

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

前锋

电压

前锋

电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRLR8103V

100

V

DS

R

D

不限按包

80

V

GS

R

G

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

-

60

40

无花果

10a.

开关时间

TEST

电路

无花果

10a.

开关时间

TEST

电路

V

DS

90%

20

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

www.irf.com

5

PD-94021C

IRLR8103V

N沟道特定应用的MOSFET

理想的CPU内核的DC -DC转换器

低传导损耗

低开关损耗

最大限度地减少并行MOSFET的大电流

应用

G

D

100% R

G

经过测试

描述

这种新设备采用了先进的HEXFET功率

MOSFET技术，实现了前所未有的

导通电阻和栅极电荷平衡的。减少

传导和开关损耗，使其非常适用于高

效率的DC - DC转换器供电的最新

代微处理器。

该IRLR8103V已经优化所有参数

这是关键中的同步降压转换器，包括

R

DS （ ON）

，栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开通免疫力。

该IRLR8103V提供了一个非常低的组合

Q

sw

＆放大器;

DS （ ON）

为控制减亏

同步FET应用。

该包是专门为气相，红外，

对流，或波峰焊技术。动力

大于2W耗散可以在一个典型的

印刷电路板安装的应用程序。

D- PAK

S

器件的特性？

R

DS （ ON）

Q

G

Q

SW

Q

OSS

IRLR8103V

7.9 m

27 NC

12 NC

29nC

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极或源极电流

(V

GS

> 10V ）

漏电流脉冲

TC = 25°C

TC = 90℃

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

I

S

I

SM

IRLR8103V

30

±20

91

63

363

115

60

-55到150

91

363

单位

V

TC = 25°C

功耗

e

TC = 90℃

结&存储温度范围

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流

A

W

°C

A

热阻

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

h

eh

符号

R

θJA

R

θJC

典型值。

–––

马克斯。

50

1.09

单位

° C / W

www.irf.com

1

10/22/04

IRLR8103V

电气特性

参数

漏极至源极击穿电压

静态漏源

导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

符号最小值典型值最大值单位

BV

DSS

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

30

–––

1.0

–––

0.8

–––

6.9

7.9

–––

9.0

10.5

3.0

50

20

V

m

V

A

nA

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

d

= 15A

d

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0

V

DS

= 24V, V

GS

= 0, T

J

= 100°C

V

GS

= ± 20V

V

GS

= 5V ，我

D

= 15A ，V

DS

= 16V

V

GS

= 5V, V

DS

＆ LT ; 100mV的

栅极 - 源极漏电流

总栅极电荷，控制用FET

总栅极电荷，同步FET

预Vth的栅源电荷

后Vth的栅源电荷

栅漏电荷

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

I

GSS

Q

G

Q

G

Q

GS1

Q

GS2

Q

GD

Q

SW

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

––– 100

––– ±100

27

23

4.7

2.0

9.7

12

29

–––

10

9

24

18

–––

3.1

–––

nC

V

DS

= 16V ，我

D

= 15A

V

DS

= 16V, V

GS

= 0

V

DD

= 16V

ns

I

D

= 15A

V

GS

= 5.0V

钳位感性负载

pF

V

GS

= 16V, V

GS

=0

2672 –––

1064 –––

109

–––

源极 - 漏极评级&特点

参数

二极管的正向电压

反向恢复电荷

（与并行肖特基）

符号最小值典型值最大值单位

V

SD

Q

rr

Q

RR （S ）

–––

0.9

103

96

1.3

–––

V

nC

f

IS = 15A ，V

GS

= 0V

的di / dt = 700A / μs的

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V时，我

F

= 15A

的di / dt = 700A / μs的，（有10BQ040 ）

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V时，我

F

= 15A

d

条件

f

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

400微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

典型值=测量 - Q

OSS

的R的典型值

DS

（上）在V测

GS

= 4.5V ，Q

G

, Q

SW

和Q

OSS

测量V

GS

= 5.0V ，我

F

= 15A.

R

θ

测定在T

J

约90℃的

2

www.irf.com

IRLR8103V

1000

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

1000

VGS

15V

10V

7.0V

5.5V

4.5V

4.0V

3.5V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

2.7V

10

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1000

2.0

I

D

= 15A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

1.5

100

T

J

= 150

°

C

1.0

0.5

10

2.0

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20 40 60 80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRLR8103V

5000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

4000

V

GS

=

C

国际空间站

=

C

RSS

=

C

OSS

=

0V,

F = 1MHz的

C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

gd

C

ds

+ C

gd

6

I

D

=

15A

5

V

DS

= 24V

V

DS

= 15V

C，电容（pF ）

4

3000

西塞

3

2000

科斯

2

1000

1

CRSS

0

1

10

100

0

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

0

5

10

15

20

25

30

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

1000

10000

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

100

T

J

= 150

°

C

I

D

，漏电流（ A）

1000

10us

10

100

100us

T

J

= 25

°

C

1

10

1ms

0.1

0.0

V

GS

= 0 V

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

1

T

C

= 25 °C

T

J

= 150 °C

单脉冲

1

10

10ms

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

前锋

电压

前锋

电压

图8 。

最大安全工作区

4

www.irf.com

IRLR8103V

100

V

DS

R

D

不限按包

80

V

GS

R

G

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

+

V

DD

I

D

，漏电流（ A）

-

60

40

无花果

10a.

开关时间

TEST

电路

无花果

10a.

开关时间

TEST

电路

V

DS

90%

20

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10

图10B 。

开关时间波形

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

P

DM

t

1

t

2

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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