IRLR/U3410PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
100 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- --- 0.122 V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.105
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.125 W
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 10A
––– ––– 0.155
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 9.0A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
7.7
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 9.0A
––– ––– 25
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 34
I
D
= 9.0A
––– ––– 4.8
nC
V
DS
= 80V
––– ––– 20
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
–––
7.2 –––
V
DD
= 50V
–––
53 –––
I
D
= 9.0A
ns
–––
30 –––
R
G
= 6.0, V
GS
= 5.0V
–––
26 –––
R
D
= 5.5Ω ，见图。 10
铅之间，
4.5
nH
6毫米（0.25英寸）。
G
从包
––– 7.5 –––
与模具接触中心？
––– 800 –––
V
GS
= 0V
––– 160 –––
pF
V
DS
= 25V
–––
90 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
60
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 9.0A ，V
GS
= 0V
––– 140 210
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
=9.0A
--- 740 1100 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 3.1mH
R
G
= 25, I
AS
= 9.0A 。 （参见图12）
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%
使用IRL530N数据和测试条件
I
SD
≤
9.0A ， di / dt的
≤
540A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
这个被施加用于I -PAK ，L-
S
D- PAK的是铅和测量之间
模具联络中心
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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