【HN3A51F东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）HN3A51F音频通用放大器应用高压: V首席执行官】,IC型号HN3A51F,HN3A51F PDF资料,HN3A51F经销商,ic,电子元器件-51电子网

HN3A51F

东芝晶体管PNP硅外延型（厘过程）

HN3A51F

音频通用放大器应用

高压

: V

首席执行官

120V

: h

= 200~700

高

优秀

线性

: h

0.1mA)

/ h

2mA)

= 0.95 （典型值）。

低噪音

： NF = 1分贝（典型值）。

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

（ Q1 ， Q2常见）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

存储温度范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

120

100

300

150

55~150

单位

°C

1.COLLECTOR1

2.EMITTER 1

3.COLLECTOR2

4.EMITTER 2

5.BASE 2

6.BASE 1

(C1)

(E1)

(C2)

(E2)

(B2)

(B1)

注意：

JEDEC

―

在重负载下连续使用（高如应用程序

JEITA

―

温度/电流/电压和在显著变化

东芝

2-3N1B

温度等）可能会导致此产品在减少

重量：0.015克（典型值）。

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

*总的评价。每个单元的功耗不超过200mW的。

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极

饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

符号

CBO

EBO

TEST

电路

―

测试条件

120V,

= 0

5V,

= 0

6V,

2mA

10mA,

1mA

6V,

1mA

10V,

= 0中，f = 1MHz的

= 6

V，I

= 0.1

1千赫，R

10 kΩ

民

―

200

―

典型值。

―

100

1.0

最大

0.1

700

0.3

―

兆赫

单位

μA

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

2007-11-22

HN3A51F

（ Q1 ， Q2公用）

– V

25°C

– V

（MA ）

常见

辐射源

VCE

= 6

共发射极

（MA ）

集电极电流I

Colletor电流I

100°C

= 1 μA

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

集电极 - 发射极电压

(V)

基射极电压

(V)

集热OUTPUTCAPACITANCE

（PF ）

– I

5000

– V

1兆赫

25°C

3000

常见

辐射源

VCE

= 6

DC的近况GAIN

1000

100°C

500

300

100

0.1

0.3

集电极 - 基极电压

(V)

集电极电流I

（MA ）

- TA

集电极 - 发射极饱和

电压V

CE （SAT）

(V)

0.5

0.3

100°C

0.1

0.05

0.03

常见

辐射源

IC / IB

集热POWERDISSIPATION

（ mW）的

CE （SAT）

– I

500

400

300

200

100

0.01

0.1

0.3

集电极电流I

（MA ）

100

125

150

175

环境温度

(°C)

*总评分。

2007-11-22

HN3A51F

2007-11-22

HN3A51F

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2007-11-22